RMS3105 Datasheet - MOSFET P-Channel -30V -11.5A SOP‑8

Description générale

Le RMS3105 est un MOSFET de puissance à canal P de 30V conçu avec une technologie avancée de tranchée à haute densité de cellules (Trench technology). Ce composant offre une charge de grille extrêmement faible (Super Low Gate Charge) ainsi qu'une atténuation excellente de l'effet CdV/dt. Il intègre la garantie d'une tenue à 100% face aux avalanches (EAS Guaranteed) et répond aux standards des dispositifs écologiques (Green Device).

Principales caractéristiques

Paramètre	Valeur
Tension Drain-Source (V(BR)DSS)	-30 V
Courant de Drain Continu (ID)	-11.5 A
Résistance Statique Drain-Source (RDS(on) Max @ VGS = -10V, ID = -10A)	15 mΩ
Résistance Statique Drain-Source (RDS(on) Max @ VGS = -4.5V, ID = -10A)	25 mΩ
Boîtier	SOP-8

Brochage / Pinout

Numéro de Broche	Symbole	Description
1, 2, 3	S	Source
4	G	Grille (Gate)
5, 6, 7, 8	D	Drain

Maximum Ratings

Valeurs maximales absolues à T_A = 25°C sauf indication contraire :

Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VDS	Drain-Source Voltage	-30	V
VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
ID	Continuous Drain Current, VGS @ -10V (TA = 25°C)	-11.5	A
ID	Continuous Drain Current, VGS @ -10V (TA = 70°C)	-9	A
IDM	Pulsed Drain Current	-46	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	125	mJ
IAS	Avalanche Current	-50	A
PD	Total Power Dissipation (TA = 25°C)	1.5	W
TJ, TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to 150	°C

Caractéristiques Thermiques

Symbole	Paramètre	Max	Unité
RθJA	Thermal Resistance Junction-Ambient (État stable)	75	°C/W
RθJA	Thermal Resistance Junction-Ambient (t ≤ 10s)	40	°C/W
RθJC	Thermal Resistance Junction-Case	24	°C/W

Electrical Characteristics

Caractéristiques électriques à T_A = 25°C sauf indication contraire :

États On/Off

Symbole	Paramètre	Conditions	Min	Typ	Max	Unité
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS = 0V, ID = -250µA	-30	-	-	V
ΔBVDSS/ΔTJ	BVDSS Temperature Coefficient	Reference to 25°C, ID = -1mA	-	0.023	-	V/°C
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance	VGS = -10V, ID = -10A	-	-	15	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance	VGS = -4.5V, ID = -10A	-	-	25	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VGS = VDS, ID = -250µA	-1.0	-	-2.5	V
ΔVGS(th)	VGS(th) Temperature Coefficient	Non spécifiées	-	4.6	-	mV/°C
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS = -24V, VGS = 0V, TJ = 25°C	-	-	-1	µA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS = -24V, VGS = 0V, TJ = 55°C	-	-	-5	µA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS = ±20V, VDS = 0V	-	-	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS = -5V, ID = -10A	-	24	-	S

Caractéristiques Dynamiques

Symbole	Paramètre	Conditions	Min	Typ	Max	Unité
RG	Gate Resistance	VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz	-	9	-	Ω
Ciss	Input Capacitance	VDS = -15V, VGS = 0V, f = 1MHz	-	2215	-	pF
Coss	Output Capacitance	VDS = -15V, VGS = 0V, f = 1MHz	-	310	-	pF
Crss	Reverse Transfer Capacitance	VDS = -15V, VGS = 0V, f = 1MHz	-	237	-	pF

Temps de Commutation

Symbole	Paramètre	Conditions	Min	Typ	Max	Unité
Qg	Total Gate Charge (-4.5V)	VDS = -15V, VGS = -4.5V, ID = -10A	-	20	-	nC
Qgs	Gate-Source Charge	VDS = -15V, VGS = -4.5V, ID = -10A	-	5.1	-	nC
Qgd	Gate-Drain Charge	VDS = -15V, VGS = -4.5V, ID = -10A	-	7.3	-	nC
td(on)	Turn-On Delay Time	VDD = -15V, VGS = -10V, RG = 3.3Ω, ID = -1A	-	33.8	-	ns
tr	Rise Time	VDD = -15V, VGS = -10V, RG = 3.3Ω, ID = -1A	-	35.8	-	ns
td(off)	Turn-Off Delay Time	VDD = -15V, VGS = -10V, RG = 3.3Ω, ID = -1A	-	72.8	-	ns
tf	Fall Time	VDD = -15V, VGS = -10V, RG = 3.3Ω, ID = -1A	-	10.6	-	ns

Caractéristiques de la Diode Source-Drain

Symbole	Paramètre	Conditions	Min	Typ	Max	Unité
IS	Continuous Source Current	VG = VD = 0V, Force Current	-	-	-11.5	A
ISM	Pulsed Source Current	VG = VD = 0V, Force Current	-	-	-46	A
VSD	Diode Forward Voltage	VGS = 0V, IS = -1A, TJ = 25°C	-	-	-1	V

Functional Description

Le RMS3105 s'appuie sur une structure de cellules à tranchées avancées (Trench technology) afin de minimiser la résistance à l'état passant R_DS(ON) tout en conservant d'excellentes performances de commutation. Sa très faible charge de grille permet une commande simplifiée et efficace à des fréquences de découpage élevées, réduisant ainsi les pertes de puissance globales au sein du système. Le composant intègre des caractéristiques intrinsèques robustes pour mitiger et décliner efficacement l'impact négatif induit par les variations rapides de tension transitoires (effet CdV/dt).

Dimensions du boîtier

Le composant est encapsulé dans un boîtier standard de type SOP-8. Les dimensions géométriques précises et les tolérances physiques ne sont pas spécifiées dans la documentation source.

Notes techniques

• Les caractéristiques listées découlent de mesures effectuées avec le composant monté en surface sur une carte FR-4 d'une surface de 1 pouce carrée comprenant 2 oz de cuivre de surface.
• Les valeurs impulsionnelles ont été acquises et testées dans des conditions de largeur d'impulsion inférieure à 300 µs avec un facteur de marche (duty cycle) inférieur ou égal à 2%.
• Les valeurs maximales d'avalanche (ES) sont obtenues sous les conditions d'essai suivantes : V_DD = -25V, V_GS = -10V, L = 0.1mH, et I_AS = -50A.
• La dissipation totale de puissance tolérée dépend strictement des limites de température de jonction fixées à 150°C.
• En théorie pure, les courants maximaux admis correspondent aux valeurs nominales d'I_D et I_DM, mais leur exploitation en conditions réelles d'application reste bridée par la dissipation de puissance totale effective du système.

Où acheter le composant RMS3105 :

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Note d'information et clause de non-responsabilité :
Ce document constitue une synthèse réécrite à des fins d'information technique. Rimal Semiconductors (RM) se réserve explicitement le droit d'apporter des modifications à la documentation, aux spécifications et à ses produits à tout moment et sans préavis. Il incombe aux utilisateurs d'obtenir et de valider les versions de fiches techniques les plus récentes avant toute phase finale de conception, d'achat ou d'utilisation. RM n'offre aucune garantie quant à l'adéquation de ses produits pour un usage particulier et décline toute responsabilité liée à l'assistance applicative ou au design client. De plus, l'utilisation de ces produits comme composants critiques au sein de dispositifs médicaux ou de systèmes de maintien des fonctions vitales est strictement interdite sans une approbation écrite expresse de Rimal Semiconductors. Pour consulter les courbes de caractéristiques graphiques complémentaires et les données initiales, veuillez vous référer à la datasheet source PDF de Rimal Semiconductors.