FDD8447L 40V N‑Channel PowerTrench® MOSFET
📄 Description Générale
Le FDD8447L est un MOSFET de puissance à canal N utilisant la technologie avancée PowerTrench® de Fairchild Semiconductor. Il offre une très faible résistance à l'état passant (RDS(on) max 8,5 mΩ à VGS = 10 V) et une capacité de courant élevée (ID = 50 A continu, limité par le boîtier). Le boîtier D‑PAK (TO‑252) permet un montage en surface avec une excellente dissipation thermique. Les caractéristiques incluent une énergie d'avalanche garantie (EAS = 153 mJ), une commutation rapide, et le composant est conforme RoHS.
✨ Principales Caractéristiques
🎯 Applications Typiques
- Onduleurs (Inverter)
- Alimentations à découpage (Power Supplies)
- Convertisseurs DC‑DC
🔌 Brochage / Pinout (D‑PAK / TO‑252)
| Broche | Nom | Description |
|---|---|---|
| 1 | Grille (G) | Commande de grille (tension ±20 V max) |
| 2 | Drain (D) | Drain de puissance (connecté au plot central) |
| 3 | Source (S) | Source de puissance (référence) |
Brochage D‑PAK standard (vue de dessus). Le plot métallique est également relié au Drain.
⚠️ Limites Maximales (Maximum Ratings, TC = 25 °C)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| VDS | Tension drain‑source | 40 | V |
| VGS | Tension grille‑source | ±20 | V |
| ID | Courant drain continu (limité par boîtier) | 50 | A |
| ID | Courant drain continu (limité par silicium) | 57 | A |
| ID | Courant drain continu (autre) | 15,2 | A |
| IDM | Courant drain pulsé | 100 | A |
| IS | Courant de diode de corps de crête | 100 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche | 153 | mJ |
| PD | Puissance dissipée (TC = 25 °C) | 44 | W |
| PD | Puissance dissipée (TA = 25 °C) | 3,1 | W |
| TJ, TSTG | Plage de température de jonction / stockage | -55 à +150 | °C |
Note 1a : Puissance dissipée mesurée sur un pad de cuivre de 1 in² de 2 oz. Note 1b : Puissance dissipée mesurée sur un pad minimal.
📊 Caractéristiques Thermiques
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| RθJC | Résistance thermique jonction‑boîtier | 2,8 | °C/W |
| RθJA | Résistance thermique jonction‑ambiant (Note 1a) | 40 | °C/W |
| RθJA | Résistance thermique jonction‑ambiant (Note 1b) | 96 | °C/W |
📊 Conditions de Fonctionnement Recommandées
Aucune plage de fonctionnement recommandée n’est explicitement spécifiée dans la datasheet. Les valeurs ci‑dessus sont les limites maximales absolues. Les caractéristiques électriques sont garanties à TJ = 25 °C, sauf indication contraire.
⚡ Caractéristiques Électriques (TJ = 25 °C, sauf indication)
Caractéristiques de blocage (Off)
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tension de claquage drain‑source | BVDSS | ID = 250 µA, VGS = 0 V | 40 | – | – | V |
| Coefficient de température de BVDSS | ΔBVDSS/ΔTJ | ID = 250 µA, réf. à 25 °C | – | 35 | – | mV/°C |
| Courant de fuite drain‑source | IDSS | VDS = 32 V, VGS = 0 V | – | – | 1 | µA |
| Courant de fuite grille‑source | IGSS | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | – | – | ±100 | nA |
Caractéristiques de conduction (On)
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tension de seuil de grille | VGS(th) | VGS = VDS, ID = 250 µA | 1,0 | 1,9 | 3,0 | V |
| Coefficient de température de VGS(th) | ΔVGS(th)/ΔTJ | ID = 250 µA, réf. à 25 °C | – | -5,0 | – | mV/°C |
| Résistance à l'état passant (Note 2) | rDS(on) | VGS = 10 V, ID = 14 A | – | 7,0 | 8,5 | mΩ |
| Résistance à l'état passant (Note 2) | rDS(on) | VGS = 4,5 V, ID = 11 A | – | 8,5 | 11,0 | mΩ |
| Résistance à l'état passant (Note 2) | rDS(on) | VGS = 10 V, ID = 14 A, TJ = 125 °C | – | 10,4 | 14,0 | mΩ |
| Transconductance directe | gFS | VDS = 5 V, ID = 14 A | – | 58 | – | S |
Caractéristiques dynamiques
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|
| Capacité d'entrée | Ciss | VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | 1970 | – | pF |
| Capacité de sortie | Coss | 250 | – | pF | |
| Capacité de transfert inverse | Crss | 150 | – | pF | |
| Résistance de grille | Rg | f = 1 MHz | 1,27 | – | Ω |
Charges de grille et temps de commutation (Note 2)
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Temps de retard à l'ouverture | td(on) | VDD = 20 V, ID = 1 A, VGS = 10 V, RGEN = 6 Ω | 12 | – | 21 | ns |
| Temps de montée | tr | 12 | – | 21 | ns | |
| Temps de retard à la fermeture | td(off) | 38 | – | 61 | ns | |
| Temps de descente | tf | 9 | – | 18 | ns | |
| Charge de grille totale (10 V) | Qg(TOT) | VDD = 20 V, ID = 14 A | – | 37 | 52 | nC |
| Charge grille‑source | Qgs | – | 6 | – | nC | |
| Charge grille‑drain (Miller) | Qgd | – | 7 | – | nC |
Caractéristiques de la diode source‑drain (Body Diode)
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Courant continu de diode source‑drain | IS | (Note 1a) | – | – | 2,6 | A |
| Tension directe de diode source‑drain | VSD | VGS = 0 V, IS = 14 A (Note 2) | – | 0,8 | 1,2 | V |
| Temps de recouvrement inverse | tr | IF = 14 A, di/dt = 100 A/µs | – | 22 | – | ns |
| Charge de recouvrement inverse | Qr | – | 11 | – | nC |
Notes :
(1a) 40 °C/W pour un montage sur un pad de cuivre de 1 in² (2 oz). (1b) 96 °C/W pour un montage sur pad minimal.
(2) Mesures pulsées : largeur d’impulsion ≤ 300 µs, rapport cyclique ≤ 2 %.
(3) Énergie d’avalanche mesurée avec L = 1 mH, IAS = 17,5 A, VDD = 40 V, VGS = 10 V.
🔬 Description Fonctionnelle
Le FDD8447L intègre la technologie PowerTrench® de Fairchild, qui minimise la résistance à l’état passant (RDS(on) typique 7,0 mΩ à 10 V) tout en réduisant la charge de grille (Qg typique 37 nC). La diode de corps est optimisée pour un recouvrement rapide (trr typique 22 ns). L’énergie d’avalanche garantie (EAS = 153 mJ) le rend robuste contre les surtensions inductives. La tension de seuil VGS(th) est comprise entre 1,0 V et 3,0 V, compatible avec des commandes logiques 5 V. La dissipation maximale est de 44 W à TC = 25 °C, avec une résistance thermique jonction‑boîtier RθJC = 2,8 °C/W.
📏 Dimensions du Boîtier (D‑PAK / TO‑252)
Le FDD8447L est conditionné dans un boîtier D‑PAK (TO‑252) à 3 broches. La datasheet ne fournit pas de tableau de cotes mécaniques détaillé dans le texte. Pour les dessins complets, se référer au site du fabricant.
- Boîtier D‑PAK (TO‑252) – montage en surface
- Plot central connecté au Drain
📌 Notes Techniques
- Dissipation thermique : La résistance thermique jonction‑ambiant dépend fortement du circuit imprimé : 40 °C/W pour une surface de cuivre de 1 in² (2 oz), 96 °C/W pour une surface minimale (Note 1).
- Montage : Les soudures doivent être effectuées à ≤ 260 °C pendant 10 s max.
- Puissance dissipée : La dissipation maximale de 44 W est spécifiée à TC = 25 °C (température du boîtier). Pour des températures plus élevées, la puissance doit être réduite.
- Conformité RoHS : Le composant est sans plomb et conforme RoHS.
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- Au Maroc : abrid.ma (consultez le catalogue en ligne).
- À l’International : Mouser Electronics – livraison mondiale.
⚠️ Note d’information et clause de non‑responsabilité : Les données ci‑dessus sont extraites exactement de la datasheet PDF originale Fairchild Semiconductor (FDD8447L Rev.C3, © 2008). Aucune valeur n’a été ajoutée ou déduite. Les informations sont fournies à titre indicatif. Pour les dernières révisions et spécifications certifiées, veuillez consulter la documentation originale du fabricant (datasheet source).