RMP6056 60V N‑Channel Power MOSFET
📄 Description Générale
Le RMP6056 est un MOSFET de puissance à canal N utilisant une technologie Trench avancée. Il offre une très faible résistance à l’état passant (RDS(on) max 8,5 mΩ à VGS = 10 V) et un courant continu de 63 A à TC = 25 °C (note 6 : courant limite de bonding wire 45 A). Le boîtier TO‑220 permet un montage traversant standard. Les caractéristiques incluent une énergie d’avalanche garantie (EAS = 26,5 mJ), une charge de grille super faible (Qg typique 15 nC) et une excellente tenue en dv/dt. Le composant est conforme « Green » (sans plomb).
✨ Principales Caractéristiques (données corrigées)
🎯 Applications Typiques
- Contrôle moteur (Motor Control)
- Convertisseurs DC‑DC (DC/DC Converter)
- Redressement synchrone (Synchronous rectifier applications)
🔌 Brochage / Pinout (TO‑220)
| Broche | Nom | Description |
|---|---|---|
| 1 | Grille (Gate - G) | Commande de grille (tension ±20 V max) |
| 2 | Drain (D) | Drain de puissance (connecté au plot central) |
| 3 | Source (S) | Source de puissance (référence) |
Brochage TO‑220 standard : 1 = Grille, 2 = Drain, 3 = Source. Le plot métallique est également relié au Drain.
⚠️ Limites Maximales (Absolute Maximum Ratings, Tc = 25 °C)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| VDS | Tension drain‑source | 60 | V |
| VGS | Tension grille‑source | ±20 | V |
| ID | Courant drain continu (Tc = 25 °C, VGS = 10 V) 6 | 63 | A |
| ID | Courant drain continu (Tc = 100 °C, VGS = 10 V) 6 | 40 | A |
| IDM | Courant drain pulsé 2 | 150 | A |
| EAS | Énergie d’avalanche single pulse 3 | 26,5 | mJ |
| IAS | Courant d’avalanche | 23 | A |
| PD | Puissance dissipée totale (Tc = 25 °C) 4 | 62,5 | W |
| TJ, TSTG | Plage de température de jonction / stockage | -55 à +150 | °C |
Notes :
(1) Mesures sur PCB 1 inch² FR‑4 avec 2 oz de cuivre.
(2) Largeur d’impulsion ≤ 300 µs, rapport cyclique ≤ 2 %.
(3) Conditions : VDD = 25 V, VGS = 10 V, L = 0,1 mH, IAS = 23 A.
(4) Limité par la température de jonction 150 °C.
(5) Le courant continu théorique est celui de ID/IDM ; en application, il est limité par la dissipation.
(6) Courant limite par bonding wire : 45 A.
📊 Caractéristiques Thermiques
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| RθJC | Résistance thermique jonction‑boîtier (non spécifiée) | ––– | °C/W |
| RθJA | Résistance thermique jonction‑ambiant 1 | ––– | °C/W |
Le tableau 2 des caractéristiques thermiques n’est pas renseigné dans la datasheet source.
📊 Conditions de Fonctionnement Recommandées
Aucune plage de fonctionnement recommandée n’est explicitement spécifiée. Les valeurs ci‑dessus sont les limites maximales absolues. Les caractéristiques électriques sont garanties à TA = 25 °C, sauf indication contraire.
⚡ Caractéristiques Électriques (Ta = 25 °C, sauf indication)
On / Off States
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tension de claquage drain‑source | BVDSS | VGS = 0 V, ID = 250 µA | 60 | – | – | V |
| Résistance à l’état passant 2 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 20 A | – | – | 8,5 | mΩ |
| Résistance à l’état passant 2 | RDS(on) | VGS = 4,5 V, ID = 15 A | – | – | 12,5 | mΩ |
| Tension de seuil de grille | VGS(th) | VGS = VDS, ID = 250 µA | 1,2 | – | 2,3 | V |
| Courant de fuite drain‑source (Tj = 25 °C) | IDSS | VDS = 48 V, VGS = 0 V | – | – | 1 | µA |
| Courant de fuite drain‑source (Tj = 55 °C) | IDSS | VDS = 48 V, VGS = 0 V | – | – | 5 | µA |
| Courant de fuite grille‑source | IGSS | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | – | – | ±100 | nA |
Caractéristiques Dynamiques
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Résistance de grille | Rg | VDS = 0 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | – | 1,4 | – | Ω |
| Capacité d’entrée | Ciss | VDS = 30 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | – | 1270 | – | pF |
| Capacité de sortie | Coss | – | 479 | – | pF | |
| Capacité de transfert inverse | Crss | – | 40 | – | pF |
Charges de grille et temps de commutation (typiques)
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Charge de grille totale (10 V) | Qg | VDS = 30 V, VGS = 10 V, ID = 15 A | – | 15 | – | nC |
| Charge grille‑source | Qgs | – | 3,5 | – | nC | |
| Charge grille‑drain (Miller) | Qgd | – | 4,2 | – | nC | |
| Temps de retard à l’ouverture | td(on) | VDS = 30 V, VGS = 10 V, RG = 3,3 Ω, ID = 15 A | – | 7 | – | ns |
| Temps de montée | tr | – | 4,5 | – | ns | |
| Temps de retard à la fermeture | td(off) | – | 26 | – | ns | |
| Temps de descente | tf | – | 5 | – | ns |
Caractéristiques de la diode source‑drain
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Courant source continu | Is | VGS = VDS = 0 V, force current 1,5 | – | – | 30 | A |
| Tension directe de diode 2 | VSD | VGS = 0 V, IS = 1 A, Tj = 25 °C | – | – | 1,2 | V |
| Temps de recouvrement inverse | trr | IS = 15 A, di/dt = 100 A/µs, Tj = 25 °C | – | 22 | – | ns |
| Charge de recouvrement inverse | Qrr | – | 72 | – | nC |
Notes :
(1) Mesures sur PCB 1 inch² FR‑4 avec 2 oz de cuivre.
(2) Régime pulsé : largeur ≤ 300 µs, rapport cyclique ≤ 2 %.
(3) EAS mesuré avec VDD = 25 V, VGS = 10 V, L = 0,1 mH, IAS = 23 A.
(4) La puissance dissipée est limitée par la température de jonction 150 °C.
(5) Le courant continu théorique est celui de ID/IDM ; en application, il est limité par la dissipation.
(6) Courant limite par bonding wire : 45 A.
🔬 Description Fonctionnelle
Le RMP6056 intègre une technologie Trench avancée qui minimise la résistance à l’état passant (RDS(on) max 8,5 mΩ à 10 V) tout en réduisant la charge de grille (Qg typique 15 nC). La diode de corps est optimisée pour un recouvrement rapide (trr typique 22 ns). L’énergie d’avalanche garantie (26,5 mJ) le rend robuste contre les surtensions inductives. La tension de seuil VGS(th) est comprise entre 1,2 V et 2,3 V, compatible avec des commandes logiques 5 V. La dissipation maximale est de 62,5 W à TC = 25 °C.
📏 Dimensions du Boîtier (TO‑220)
La datasheet ne fournit pas de tableau de cotes mécaniques. Le boîtier est un TO‑220 standard à 3 broches. Pour les dessins complets, consulter le site du fabricant (rimalsemiconductors.com).
📌 Notes Techniques
- Montage : Les données de courant et de puissance sont mesurées sur un PCB de 1 inch² avec 2 oz de cuivre (note 1). Un bon transfert thermique nécessite des pastilles de cuivre étendues.
- EAS : L’énergie d’avalanche est mesurée avec L = 0,1 mH, IAS = 23 A, VDD = 25 V (note 3).
- Courant de bonding wire : Le courant maximal supporté par les fils de bonding est de 45 A (note 6).
- Green device : Le composant est disponible en version sans plomb (Pb‑free).
🛒 Où Acheter le MOSFET RMP6056 :
- Au Maroc : abrid.ma (consultez le catalogue en ligne).
- À l’International : Rimal Semiconductors – livraison mondiale.
⚠️ Note d’information et clause de non‑responsabilité : Les données ci‑dessus sont extraites exactement du fichier RMP6056_Datasheet.pdf (Rimal Semiconductors, REV 1.0, 2026). Des corrections ont été apportées aux valeurs manifestement erronées (ID 63 A au lieu de 1663 A, PD 62,5 W au lieu de 462,5 W, etc.) en se basant sur le « Product Summary ». Les informations sont fournies à titre indicatif. Pour les dernières révisions, veuillez consulter la documentation originale du fabricant (RMP6056 Datasheet PDF).