RMP6032A 60V N‑Channel Fast Switching MOSFET
📄 Description Générale
Le RMP6032A est un MOSFET de puissance à canal N utilisant une technologie Trench avancée. Il offre une très faible résistance à l’état passant (RDS(on) max 8,5 mΩ à VGS = 10 V) et un courant continu de 75 A (limité par le boîtier). Le boîtier TO‑220 permet un montage traversant standard. Les caractéristiques incluent une énergie d’avalanche garantie (EAS = 80 mJ), une charge de grille super faible (Qg typique 57 nC) et une excellente tenue en dv/dt. Le composant est conforme « Green » (sans plomb).
✨ Principales Caractéristiques (valeurs cohérentes)
🎯 Applications Typiques
- Conversion DC‑DC (convertisseurs buck/boost)
- Contrôle moteur (Motor Control)
- Redressement synchrone (Synchronous rectification)
- Alimentations à découpage (SMPS)
🔌 Brochage / Pinout (TO‑220)
| Broche | Nom | Description |
|---|---|---|
| 1 | Grille (Gate - G) | Commande de grille (tension ±20 V max) |
| 2 | Drain (D) | Drain de puissance (connecté au plot central) |
| 3 | Source (S) | Source de puissance (référence) |
Brochage TO‑220 standard : 1 = Grille, 2 = Drain, 3 = Source. Le plot métallique est également relié au Drain.
⚠️ Limites Maximales (Absolute Maximum Ratings, Tc = 25 °C)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| VDS | Tension drain‑source | 60 | V |
| VGS | Tension grille‑source | ±20 | V |
| ID | Courant drain continu (Tc = 25 °C, VGS = 10 V) 5 | 75 | A |
| ID | Courant drain continu (Tc = 100 °C, VGS = 10 V) 5 | 57 | A |
| IDM | Courant drain pulsé 2 | 280 | A |
| EAS | Énergie d’avalanche single pulse 3 | 80 | mJ |
| IAS | Courant d’avalanche | 40 | A |
| PD | Puissance dissipée totale (Tc = 25 °C) 4 | 89 | W |
| TJ, TSTG | Plage de température de jonction / stockage | -55 à +150 | °C |
Notes :
(1) Mesures sur PCB 1 inch² FR‑4 avec 2 oz de cuivre.
(2) Largeur d’impulsion ≤ 300 µs, rapport cyclique ≤ 2 %.
(3) Conditions : VDD = 50 V, VGS = 10 V, L = 0,1 mH, IAS = 40 A.
(4) Limité par la température de jonction 150 °C.
(5) Courant maximal limité par le boîtier (package).
📊 Caractéristiques Thermiques
| Symbole | Paramètre | Max | Unité |
|---|---|---|---|
| RθJA | Résistance thermique jonction‑ambiant 1 | 60 | °C/W |
| RθJC | Résistance thermique jonction‑boîtier 1 | 1,4 | °C/W |
Les résistances thermiques sont données pour un montage sur PCB standard.
📊 Conditions de Fonctionnement Recommandées
Aucune plage de fonctionnement recommandée n’est explicitement spécifiée. Les valeurs ci‑dessus sont les limites maximales absolues. Les caractéristiques électriques sont garanties à TA = 25 °C, sauf indication contraire.
⚡ Caractéristiques Électriques (Ta = 25 °C, sauf indication)
On / Off States
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tension de claquage drain‑source | BVDSS | VGS = 0 V, ID = 250 µA | 60 | – | – | V |
| Résistance à l’état passant 2 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 20 A | – | 7,1 | 8,5 | mΩ |
| Tension de seuil de grille | VGS(th) | VGS = VDS, ID = 250 µA | 2 | – | 4,5 | V |
| Courant de fuite drain‑source (Tj = 25 °C) | IDSS | VDS = 48 V, VGS = 0 V | – | – | 1 | µA |
| Courant de fuite drain‑source (Tj = 55 °C) | IDSS | VDS = 48 V, VGS = 0 V | – | – | 5 | µA |
| Courant de fuite grille‑source | IGSS | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | – | – | ±100 | nA |
Caractéristiques Dynamiques
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Résistance de grille | Rg | VDS = 0 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | – | 1,2 | – | Ω |
| Capacité d’entrée | Ciss | VDS = 30 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | – | 3307 | – | pF |
| Capacité de sortie | Coss | – | 201 | – | pF | |
| Capacité de transfert inverse | Crss | – | 151 | – | pF |
Charges de grille et temps de commutation (typiques)
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Charge de grille totale (10 V) | Qg | VDS = 30 V, VGS = 10 V, ID = 18 A | – | 57 | – | nC |
| Charge grille‑source | Qgs | – | 8,7 | – | nC | |
| Charge grille‑drain (Miller) | Qgd | – | 14 | – | nC | |
| Temps de retard à l’ouverture | td(on) | VDS = 30 V, VGS = 10 V, RG = 3,3 Ω, ID = 20 A | – | 16,2 | – | ns |
| Temps de montée | tr | – | 41,2 | – | ns | |
| Temps de retard à la fermeture | td(off) | – | 56,4 | – | ns | |
| Temps de descente | tf | – | 16,2 | – | ns |
Caractéristiques de la diode source‑drain
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Courant source continu | Is | VGS = VDS = 0 V, force current 1,5 | – | – | 75 | A |
| Tension directe de diode 2 | VSD | VGS = 0 V, IS = 1 A, Tj = 25 °C | – | – | 1,2 | V |
| Temps de recouvrement inverse | trr | IS = 20 A, di/dt = 100 A/µs, Tj = 25 °C | – | 22 | – | ns |
| Charge de recouvrement inverse | Qrr | – | 72 | – | nC |
Notes :
(1) Mesures sur PCB 1 inch² FR‑4 avec 2 oz de cuivre.
(2) Régime pulsé : largeur ≤ 300 µs, rapport cyclique ≤ 2 %.
(3) EAS mesuré avec VDD = 50 V, VGS = 10 V, L = 0,1 mH, IAS = 40 A.
(4) La puissance dissipée est limitée par la température de jonction 150 °C.
(5) Courant maximal limité par le boîtier.
🔬 Description Fonctionnelle
Le RMP6032A intègre une technologie Trench avancée qui minimise la résistance à l’état passant (RDS(on) typique 7,1 mΩ à 10 V) tout en réduisant la charge de grille (Qg typique 57 nC). La diode de corps est optimisée pour un recouvrement rapide (trr typique 22 ns). L’énergie d’avalanche garantie (80 mJ) le rend robuste contre les surtensions inductives. La tension de seuil VGS(th) est comprise entre 2 V et 4,5 V, compatible avec des commandes logiques 5 V. La dissipation maximale est de 89 W à TC = 25 °C, avec une résistance thermique jonction‑boîtier RθJC = 1,4 °C/W.
🔧 Schémas d’Application Typique
Figure 1 – Exemple d’application dans un convertisseur DC‑DC synchrone.
Figure 2 – Montage en pont complet (H‑bridge) pour commande de moteur.
📏 Dimensions du Boîtier (TO‑220)
| Symbole | MIN (mm) | NOM (mm) | MAX (mm) | MIN (pouces) | NOM (pouces) | MAX (pouces) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| A | 4,25 | – | 4,80 | 0,167 | – | 0,189 |
| A2 | 2,20 | – | 2,92 | 0,087 | – | 0,115 |
| B | 0,70 | – | 0,91 | 0,028 | – | 0,036 |
| B2 | 1,15 | – | 1,77 | 0,045 | – | 0,070 |
| C | 1,20 | – | 1,40 | 0,047 | – | 0,055 |
| C2 | 0,45 | – | 0,61 | 0,018 | – | 0,024 |
| D | 2,54 | – | 3,00 | 0,100 | – | 0,118 |
| D2 | 8,39 | – | 9,47 | 0,330 | – | 0,373 |
| D3 | 6,30 | – | 6,70 | 0,248 | – | 0,264 |
| E | 9,70 | – | 10,36 | 0,382 | – | 0,408 |
| L | 12,75 | – | 14,40 | 0,502 | – | 0,567 |
| L2 | 2,45 | – | 4,05 | 0,096 | – | 0,159 |
| Φ | 3,50 | – | 3,80 | 0,138 | – | 0,150 |
Boîtier TO‑220 standard – trou de fixation pour vis M3. Les cotes sont issues du dessin mécanique du fabricant.
📌 Notes Techniques
- Montage : Les données de courant et de puissance sont mesurées sur un PCB de 1 inch² avec 2 oz de cuivre (note 1). Un bon transfert thermique nécessite des pastilles de cuivre étendues.
- EAS : L’énergie d’avalanche est mesurée avec L = 0,1 mH, IAS = 40 A, VDD = 50 V (note 3).
- Résistance thermique : RθJC = 1,4 °C/W, RθJA = 60 °C/W (steady state, sur PCB 1 in²).
- Green device : Le composant est disponible en version sans plomb (Pb‑free).
- Courant pulsé : L’IDM de 280 A est une valeur maximale pour une impulsion unique (≤ 300 µs).
🛒 Où Acheter le MOSFET RMP6032A :
- Au Maroc : abrid.ma (consultez le catalogue en ligne).
- À l’International : Rimal Semiconductors – livraison mondiale.
⚠️ Note d’information et clause de non‑responsabilité : Les données ci‑dessus sont extraites exactement du fichier RMP6032A_Datasheet.pdf (Rimal Semiconductors, REV 1.0, 2026). Des corrections ont été apportées aux valeurs manifestement erronées (ID 75 A au lieu de 1575 A, PD 89 W au lieu de 489 W, etc.) en se basant sur le « Product Summary » et les caractéristiques typiques du composant. Les informations sont fournies à titre indicatif. Pour les dernières révisions, veuillez consulter la documentation originale du fabricant (FRMP6032A Datasheet PDF).