RMP6016A 60V N‑Channel Power MOSFET
📄 Description Générale
Le RMP6016A est un MOSFET de puissance à canal N utilisant une technologie Trench avancée. Il offre une très faible résistance à l’état passant (RDS(on) max 12 mΩ à VGS = 10 V) et un courant continu de 60 A à TC = 25 °C. Le boîtier TO‑220 permet un montage traversant standard. Les caractéristiques incluent une énergie d’avalanche garantie (EAS = 73 mJ), une charge de grille super faible (Qg typique 33,7 nC) et une excellente tenue en dv/dt. Le composant est conforme « Green » (sans plomb).
✨ Principales Caractéristiques
🎯 Applications Typiques
- Convertisseurs DC‑DC (synchrones)
- Contrôle moteur (Motor Control)
- Alimentations à découpage (SMPS)
- Redressement synchrone (Synchronous rectifier)
🔌 Brochage / Pinout (TO‑220)
| Broche | Nom | Description |
|---|---|---|
| 1 | Grille (Gate - G) | Commande de grille (tension ±20 V max) |
| 2 | Drain (D) | Drain de puissance (connecté au plot central) |
| 3 | Source (S) | Source de puissance (référence) |
Brochage TO‑220 standard : 1 = Grille, 2 = Drain, 3 = Source. Le plot métallique est également relié au Drain.
⚠️ Limites Maximales (Absolute Maximum Ratings, TC = 25 °C)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| VDS | Tension drain‑source | 60 | V |
| VGS | Tension grille‑source | ±20 | V |
| ID | Courant drain continu (TC = 25 °C, VGS = 10 V) 1 | 60 | A |
| ID | Courant drain continu (TC = 100 °C, VGS = 10 V) 1 | 38 | A |
| IDM | Courant drain pulsé 2 | 135 | A |
| EAS | Énergie d’avalanche single pulse 3 | 73 | mJ |
| IAS | Courant d’avalanche | 38 | A |
| PD | Puissance dissipée totale (TC = 25 °C) 4 | 86,8 | W |
| TJ, TSTG | Plage de température de jonction / stockage | -55 à +150 | °C |
Notes :
(1) Mesures sur PCB 1 inch² FR‑4 avec 2 oz de cuivre.
(2) Largeur d’impulsion ≤ 300 µs, rapport cyclique ≤ 2 %.
(3) Conditions : VDD = 25 V, VGS = 10 V, L = 0,1 mH, IAS = 38 A.
(4) Limité par la température de jonction 150 °C.
(5) Le courant continu théorique est celui de ID/IDM ; en application, il est limité par la dissipation.
📊 Caractéristiques Thermiques
| Symbole | Paramètre | Max | Unité |
|---|---|---|---|
| RθJA | Résistance thermique jonction‑ambiant 1 | 62 | °C/W |
| RθJC | Résistance thermique jonction‑boîtier 1 | 1,44 | °C/W |
Les résistances thermiques sont données pour un montage sur PCB standard 1 inch².
📊 Conditions de Fonctionnement Recommandées
Aucune plage de fonctionnement recommandée n’est explicitement spécifiée. Les valeurs ci‑dessus sont les limites maximales absolues. Les caractéristiques électriques sont garanties à TA = 25 °C, sauf indication contraire.
⚡ Caractéristiques Électriques (Ta = 25 °C, sauf indication)
On / Off States
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tension de claquage drain‑source | BVDSS | VGS = 0 V, ID = 250 µA | 60 | – | – | V |
| Résistance à l’état passant 2 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 30 A | – | 9 | 12 | mΩ |
| Tension de seuil de grille | VGS(th) | VGS = VDS, ID = 250 µA | 2 | – | 5 | V |
| Courant de fuite drain‑source (Tj = 25 °C) | IDSS | VDS = 48 V, VGS = 0 V | – | – | 1 | µA |
| Courant de fuite drain‑source (Tj = 55 °C) | IDSS | VDS = 48 V, VGS = 0 V | – | – | 5 | µA |
| Courant de fuite grille‑source | IGSS | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | – | – | ±100 | nA |
| Transconductance directe | gfs | VDS = 5 V, ID = 30 A | – | 42 | – | S |
Caractéristiques Dynamiques
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Résistance de grille | Rg | VDS = 0 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | – | 1,5 | – | Ω |
| Capacité d’entrée | Ciss | VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | – | 2186 | – | pF |
| Capacité de sortie | Coss | – | 260 | – | pF | |
| Capacité de transfert inverse | Crss | – | 167 | – | pF |
Charges de grille et temps de commutation (typiques)
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Charge de grille totale (4,5 V) | Qg | VDS = 48 V, VGS = 4,5 V, ID = 15 A | – | 33,7 | – | nC |
| Charge grille‑source | Qgs | – | 10,6 | – | nC | |
| Charge grille‑drain (Miller) | Qgd | – | 9,9 | – | nC | |
| Temps de retard à l’ouverture | td(on) | VDD = 30 V, VGS = 10 V, RG = 3,3 Ω, ID = 15 A | – | 10,6 | – | ns |
| Temps de montée | tr | – | 9,1 | – | ns | |
| Temps de retard à la fermeture | td(off) | – | 64 | – | ns | |
| Temps de descente | tf | – | 4,5 | – | ns |
Caractéristiques de la diode source‑drain
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Courant source continu | Is | VGS = VDS = 0 V, force current 1,5 | – | – | 60 | A |
| Tension directe de diode 2 | VSD | VGS = 0 V, IS = 1 A, Tj = 25 °C | – | – | 1,2 | V |
| Temps de recouvrement inverse | trr | IS = 15 A, di/dt = 100 A/µs, Tj = 25 °C | – | 18 | – | ns |
| Charge de recouvrement inverse | Qrr | – | 14 | – | nC |
Notes :
(1) Mesures sur PCB 1 inch² FR‑4 avec 2 oz de cuivre.
(2) Régime pulsé : largeur ≤ 300 µs, rapport cyclique ≤ 2 %.
(3) EAS mesuré avec VDD = 25 V, VGS = 10 V, L = 0,1 mH, IAS = 38 A.
(4) La puissance dissipée est limitée par la température de jonction 150 °C.
(5) Le courant continu théorique est celui de ID/IDM ; en application, il est limité par la dissipation.
🔬 Description Fonctionnelle
Le RMP6016A intègre une technologie Trench avancée qui minimise la résistance à l’état passant (RDS(on) typique 9 mΩ à 10 V) tout en réduisant la charge de grille (Qg typique 33,7 nC à 4,5 V). La diode de corps est optimisée pour un recouvrement rapide (trr typique 18 ns). L’énergie d’avalanche garantie (73 mJ) le rend robuste contre les surtensions inductives. La tension de seuil VGS(th) est comprise entre 2 V et 5 V, compatible avec des commandes logiques 5 V. La dissipation maximale est de 86,8 W à TC = 25 °C, avec une résistance thermique jonction‑boîtier RθJC = 1,44 °C/W.
📏 Dimensions du Boîtier (TO‑220)
La datasheet ne fournit pas de tableau de cotes mécaniques détaillé dans le texte. Le boîtier est un TO‑220 standard à 3 broches. Pour les dessins complets, consulter le site du fabricant (rimalsemiconductors.com).
📌 Notes Techniques
- Montage : Les données de courant et de puissance sont mesurées sur un PCB de 1 inch² avec 2 oz de cuivre (note 1). Un bon transfert thermique nécessite des pastilles de cuivre étendues.
- EAS : L’énergie d’avalanche est mesurée avec L = 0,1 mH, IAS = 38 A, VDD = 25 V (note 3).
- Résistance thermique : RθJC = 1,44 °C/W, RθJA = 62 °C/W (steady state, sur PCB 1 in²).
- Green device : Le composant est disponible en version sans plomb (Pb‑free).
🛒 Où Acheter le MOSFET RMP6016A :
- Au Maroc : abrid.ma (consultez le catalogue en ligne).
- À l’International : Rimal Semiconductors – livraison mondiale.
⚠️ Note d’information et clause de non‑responsabilité : Les données ci‑dessus sont extraites exactement du fichier RMP6016A_Datasheet.pdf (Rimal Semiconductors, REV 1.0, 2026). Aucune valeur n’a été ajoutée ou déduite. Les informations sont fournies à titre indicatif. Pour les dernières révisions, veuillez consulter la documentation originale du fabricant (RMP6016A Datasheet PDF).