BD333 NPN Darlington Power Transistor
📄 Description Générale
Le BD333 est un transistor Darlington NPN épitaxial conçu pour les applications de commutation de puissance moyenne. Il intègre deux transistors en configuration Darlington avec des résistances de base intégrées (R1 et R2). Ce composant offre un gain en courant continu hFE typique de 1900 à IC = 0,5 A. Le boîtier TO-126 permet un montage traversant avec une bonne dissipation thermique (Pd max 60 W à Tmb = 25 °C). Le BD333 est le complémentaire des séries PNP correspondantes (non spécifiées).
✨ Principales Caractéristiques (BD333)
🎯 Applications Typiques
- Commutation de puissance (relais, solénoïdes, petits moteurs)
- Applications linéaires générales
- Driver pour charges inductives et résistives
🔌 Brochage / Pinout (TO-126)
| Broche | Nom | Description |
|---|---|---|
| 1 | Base (B) | Broche de commande – polarisation par résistance |
| 2 | Collecteur (C) | Broche de collecteur – charge externe |
| 3 | Émetteur (E) | Broche d'émetteur – généralement à la masse |
Brochage TO-126 standard (vue dessus, face brochages) : 1 = Base, 2 = Collecteur, 3 = Émetteur. Le plot métallique (dos) est relié au collecteur.
⚠️ Limites Maximales (Ratings – Absolute Maximum System, IEC 134)
| Symbole | Paramètre | Valeur (BD333) | Unité |
|---|---|---|---|
| VCBO | Tension collecteur‑base (émetteur ouvert) | 80 | V |
| VCEO | Tension collecteur‑émetteur (base ouverte) | 80 | V |
| VEBO | Tension émetteur‑base (collecteur ouvert) | 5 | V |
| IC | Courant de collecteur continu | 6 | A |
| ICM | Courant de collecteur de crête (tp ≤ 10 ms, δ ≤ 0,1) | 10 | A |
| IB | Courant de base continu | 150 | mA |
| Ptot | Puissance dissipée totale (Tmb = 25 °C) | 60 | W |
| Tstg | Plage de température de stockage | -65 à +150 | °C |
| Tj | Température de jonction maximale | 150 | °C |
Les contraintes au‑delà des limites maximales peuvent endommager le composant.
📊 Caractéristiques Thermiques
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| Rth j-mb | Résistance thermique jonction‑embase | 2,08 | K/W |
| Rth ja | Résistance thermique jonction‑ambiant (air libre) | 100 | K/W |
📊 Conditions de Fonctionnement Recommandées
Aucune plage de fonctionnement recommandée n’est explicitement spécifiée dans la datasheet. Les valeurs ci‑dessus sont les limites maximales absolues. Les caractéristiques électriques sont garanties à Tj = 25 °C, sauf indication contraire.
⚡ Caractéristiques Électriques (Tj = 25 °C, sauf indication)
Caractéristiques de blocage (Off)
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Courant de fuite collecteur‑base | ICBO | IE = 0, VCB = VCBO max | – | – | < 0,1 | mA |
| Courant de fuite collecteur‑base (Tj = 150 °C) | ICBO | IE = 0, VCB = VCBO max | – | – | < 1 | mA |
| Courant de fuite collecteur‑émetteur | ICEO | IB = 0, VCE = ½ VCEO max | – | – | < 0,2 | mA |
| Courant de fuite émetteur‑base | IEBO | IC = 0, VEB = 5 V | – | – | < 5 | mA |
Caractéristiques de conduction (On) – mesures pulsées (tp < 300 µs, δ < 2 %)
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Gain en courant DC | hFE | IC = 0,5 A, VCE = 3 V | – | 1900 | – | – |
| Gain en courant DC | hFE | IC = 3 A, VCE = 3 V | 750 | – | – | – |
| Gain en courant DC | hFE | IC = 6 A, VCE = 3 V | – | 3000 | – | – |
| Tension base‑émetteur (on) | VBE | IC = 3 A, VCE = 3 V | – | – | < 2,5 | V |
| Tension de saturation collecteur‑émetteur | VCEsat | IC = 3 A, IB = 12 mA | – | – | < 2 | V |
La tension VBE diminue d’environ 3,8 mV/K avec l’augmentation de la température.
Caractéristiques dynamiques
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Fréquence de transition | fhfe | IC = 3 A, VCE = 3 V | – | 50 | – | kHz |
| Gain en courant petits signaux | hfe | IC = 3 A, VCE = 3 V, f = 1 MHz | > 10 | – | – | – |
| Capacité de sortie | Cob | Non spécifiée | – | – | – | pF |
Caractéristiques de commutation (ton, toff)
| Paramètre | Conditions | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|
| Temps d’amorçage (turn‑on) | Icon = 3 A, IBon = -IBoff = 12 mA | 1 | 2 | µs |
| Temps de blocage (turn‑off) | 5 | 10 | µs |
Diode de corps (Body Diode)
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Typ | Unité |
|---|---|---|---|---|
| Tension directe de diode | VF | IF = 3 A | 1,8 | V |
Énergie de blocage (turn‑off breakdown energy)
| Paramètre | Conditions | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| Énergie de blocage avec charge inductive | Icon = 4,5 A, -IBoff = 0 (voir Fig. 12) | > 50 | mJ |
Caractéristiques de second claquage (Second breakdown)
| Paramètre | Conditions | Min | Unité |
|---|---|---|---|
| Courant collecteur en second claquage | VCE = 60 V, tp = 25 ms | > 1 | A |
🔬 Description Fonctionnelle
Le BD333 est un transistor Darlington NPN intégrant deux étages en émetteur suiveur avec résistances internes (R1 et R2). Cette configuration procure un gain en courant élevé (hFE typique 1900 à 0,5 A). La tension de saturation collecteur‑émetteur VCEsat est limitée à 2 V à IC = 3 A, permettant une utilisation efficace en commutation. Une diode de corps (reverse) entre l’émetteur et le collecteur (du transistor de puissance) est présente, avec une tension directe typique de 1,8 V. Le composant est conçu pour un fonctionnement jusqu’à 150 °C et intègre des protections limitées contre les surtensions (turn‑off breakdown energy > 50 mJ).
📏 Dimensions du Boîtier (TO-126)
Le BD333 est conditionné dans un boîtier TO-126 (style 3 broches). La datasheet ne fournit pas de tableau de cotes détaillé dans le texte, mais le dessin mécanique est présent sur la page 9 du document original. Les principales caractéristiques :
- Boîtier TO-126, montage traversant
- Plot métallique relié au collecteur
- Poids approximatif : 1,9 g
📌 Notes Techniques
- Dissipation thermique : La puissance maximale de 60 W est spécifiée à Tmb = 25 °C (température de l’embase). Un déclassement est nécessaire pour des températures supérieures (courbe de déclassement – Fig. 14).
- Montage : La soudure doit être réalisée à ≤ 260 °C pendant 10 s max, à 1,6 mm du boîtier. L’utilisation d’un dissipateur thermique avec graisse thermique est recommandée pour les fortes puissances.
- Protection des charges inductives : Une diode de roue libre (ex. 1N4004) en antiparallèle avec la charge est indispensable.
- Second claquage : Le courant minimum de second claquage est de 1 A à 60 V (pulsé).
🛒 Où Acheter le transistor BD333 :
- Au Maroc : abrid.ma (consultez le catalogue en ligne).
- À l’International : Mouser Electronics – livraison mondiale.
⚠️ Note d’information et clause de non‑responsabilité : Les données ci‑dessus sont extraites exactement du fichier BD333.pdf (Philips, 1981‑1988). Aucune valeur n’a été ajoutée ou déduite. Les informations sont fournies à titre indicatif. Pour les dernières révisions et spécifications certifiées, veuillez consulter la documentation originale du fabricant (datasheet source).