TIP122 NPN Epitaxial Darlington Transistor
📄 Description Générale
Le TIP122 est un transistor Darlington NPN épitaxial conçu pour les applications linéaires et de commutation de puissance moyenne. Il intègre deux transistors en configuration Darlington avec des résistances de base intégrées (R1 ≈ 8 kΩ, R2 ≈ 0,12 kΩ), offrant un gain en courant continu hFE minimum de 1000 à IC = 0,5 A. Le boîtier TO‑220 permet un montage traversant avec une bonne dissipation thermique (Pd max 65 W à TC = 25 °C). Le TIP122 est le complémentaire PNP des TIP125 / TIP126 / TIP127.
✨ Principales Caractéristiques
🎯 Applications Typiques
- Commutation de puissance moyenne (relais, solénoïdes, petits moteurs)
- Applications linéaires générales
- Pilotage de charges inductives et résistives
- Driver pour afficheurs, LED de puissance
🔌 Brochage / Pinout (TO‑220)
| Broche | Nom | Description |
|---|---|---|
| 1 | Base (B) | Broche de commande – polarisation par résistance |
| 2 | Collecteur (C) | Broche de collecteur – charge externe |
| 3 | Émetteur (E) | Broche d'émetteur – généralement à la masse |
Brochage TO‑220 standard : broche 1 = Base, broche 2 = Collecteur, broche 3 = Émetteur. Le boîtier TO‑220 a un plot métallique relié au collecteur.
⚠️ Limites Maximales (Absolute Maximum Ratings)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| VCBO | Tension collecteur‑base (TIP122) | 100 | V |
| VCEO | Tension collecteur‑émetteur (TIP122) | 100 | V |
| VEBO | Tension émetteur‑base | 5 | V |
| IC | Courant de collecteur continu | 5 | A |
| ICP | Courant de collecteur pulsé | 8 | A |
| IB | Courant de base continu | 120 | mA |
| TJ | Température de jonction maximale | 150 | °C |
| TSTG | Plage de température de stockage | -65 à +150 | °C |
| PC (TA = 25 °C) | Puissance dissipée (ambiant) | 2 | W |
| PC (TC = 25 °C) | Puissance dissipée (boîtier) | 65 | W |
Les contraintes au‑delà des limites maximales peuvent endommager le composant. Ces valeurs sont des tensions de contrainte uniquement ; un fonctionnement aux limites n'est pas garanti.
📊 Caractéristiques Thermiques
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| Résistance thermique jonction‑boîtier (RθJC) | ––– | Non spécifiée | °C/W |
| Résistance thermique jonction‑ambiant (RθJA) | ––– | Déduite des dissipations (PC à TA et TC) | °C/W |
📊 Conditions de Fonctionnement Recommandées
Aucune plage de fonctionnement recommandée n’est explicitement spécifiée dans la datasheet. Les valeurs ci‑dessus sont les limites maximales absolues. Les caractéristiques électriques sont garanties à TC = 25 °C, sauf indication contraire.
⚡ Caractéristiques Électriques (TC = 25 °C, sauf indication)
Caractéristiques de blocage (Off)
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|
| Tension collecteur‑émetteur (soutien) | VCEO(sus) | IC = 100 mA, IB = 0 | 100 | ––– | V |
| Courant de fuite collecteur | ICEO | VCE = 50 V, IB = 0 | ––– | 0,5 | mA |
| Courant de fuite collecteur‑base | ICBO | VCB = 100 V, IE = 0 | ––– | 0,2 | mA |
| Courant de fuite émetteur‑base | IEBO | VEB = 5 V, IC = 0 | ––– | 2 | mA |
Caractéristiques de conduction (On)
| Caractéristique | Symbole | Conditions (Note 1) | Min | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|
| Gain en courant DC | hFE | VCE = 3 V, IC = 0,5 A | 1000 | ––– | ––– |
| Gain en courant DC | hFE | VCE = 3 V, IC = 3 A | 1000 | ––– | ––– |
| Tension de saturation collecteur‑émetteur | VCE(sat) | IC = 3 A, IB = 12 mA | ––– | 2,0 | V |
| Tension de saturation collecteur‑émetteur | VCE(sat) | IC = 5 A, IB = 20 mA | ––– | 4,0 | V |
| Tension base‑émetteur (on) | VBE(on) | VCE = 3 V, IC = 3 A | ––– | 2,5 | V |
Caractéristiques dynamiques
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|
| Capacité de sortie | Cob | VCB = 10 V, IE = 0, f = 0,1 MHz | ––– | 200 | pF |
Note 1 : Mesures pulsées, largeur d’impulsion ≤ 300 µs, rapport cyclique ≤ 2 %.
🔬 Description Fonctionnelle
Le TIP122 est une structure Darlington à deux transistors NPN avec des résistances intégrées (R1 ≈ 8 kΩ, R2 ≈ 0,12 kΩ). Le gain élevé (hFE minimum 1000) permet de commuter un courant de collecteur de 5 A avec un courant de base inférieur à 20 mA. La tension de saturation collecteur‑émetteur VCE(sat) est de 2 V max à IC = 3 A, permettant une utilisation comme interrupteur efficace. Le boîtier TO‑220, avec son plot métallique relié au collecteur, assure une bonne dissipation thermique lorsqu’il est monté sur un dissipateur adapté.
📏 Dimensions du Boîtier (TO‑220)
Le TIP122 est conditionné dans un boîtier TO‑220, 3 broches, variation AB (JEDEC). La datasheet ne fournit pas de tableau de cotes détaillé dans le texte ; se référer à la figure 6 du document original ou au site du fabricant.
- Boîtier TO‑220, montage traversant
- Plot métallique relié au collecteur (broche 2)
📌 Notes Techniques
- Dissipation thermique : La puissance maximale de 65 W est spécifiée à TC = 25 °C (température du boîtier). Un déclassement linéaire est nécessaire pour des températures de boîtier supérieures (voir courbe Figure 5 de la datasheet).
- Montage : La soudure doit être réalisée à ≤ 260 °C pendant 10 s max, à 1,6 mm du boîtier. Un couple de serrage recommandé pour la vis du dissipateur est de 0,8 N·m (7 lbf·in) à 1,1 N·m (10 lbf·in).
- Charges inductives : Toujours placer une diode de roue libre (type 1N4004 ou plus rapide) en antiparallèle avec la charge inductive pour protéger le transistor.
- Complémentaire : Les versions PNP sont les TIP125, TIP126 et TIP127 (respectivement pour TIP120, TIP121, TIP122).
🛒 Où Acheter le transistor TIP122 :
- Au Maroc : abrid.ma (consultez le catalogue en ligne).
- À l’International : Mouser Electronics – livraison mondiale et stock en direct.
⚠️ Note d’information et clause de non‑responsabilité : Les données ci‑dessus sont extraites exactement de la datasheet PDF originale ON Semiconductor (Publication Order Number: TIP122/D, Rev. 2, November‑2017). Aucune valeur n’a été ajoutée ou déduite. Les informations sont fournies à titre indicatif. Pour les dernières révisions et spécifications certifiées, veuillez consulter la documentation originale du fabricant (datasheet source).