BC547 Datasheet : Transistor NPN 45V 100mA TO-92

BC547 NPN Epitaxial Silicon Transistor

BC547 NPN Epitaxial Silicon Transistor

Transistor bipolaire NPN généraliste – Boîtier TO‑92 – Fairchild Semiconductor

📄 Description Générale

Le BC547 fait partie d’une série de transistors NPN épitaxiaux au silicium (BC546/547/548/549/550) destinés aux applications d’amplification et de commutation. Il supporte un courant de collecteur continu de 100 mA et une tension collecteur‑émetteur de 45 V. Le boîtier TO‑92 permet un montage traversant économique. Ce composant existe en trois classes de gain : A (110‑220), B (200‑450) et C (420‑800). Les versions complémentaires PNP sont les BC556 à BC560.

✨ Principales Caractéristiques

✔ Tension collecteur‑émetteur (VCEO) : 45 V
✔ Tension collecteur‑base (VCBO) : 50 V
✔ Tension émetteur‑base (VEBO) : 6 V
✔ Courant de collecteur continu (IC) : 100 mA
✔ Puissance dissipée (PC) : 500 mW
✔ Température de jonction maximale : 150 °C
✔ Gamme de température de stockage : -65 à +150 °C
✔ Gain en courant DC (hFE) : 110 à 800 selon classification A/B/C
✔ Tension de saturation CE (VCE(sat)) : 90 mV typ. à 10 mA
✔ Produit gain‑bande passante (fT) : 300 MHz
✔ Capacité de sortie (Cob) : 6 pF max (VCB = 10 V)
✔ Boîtier TO‑92 (TO‑226) – versions Pb‑Free disponibles

🎯 Applications Typiques

  • Amplificateur de petits signaux (audio, HF)
  • Commutateur généraliste (LED, relais faible puissance, buzzer)
  • Étage driver pour microcontrôleurs et logique TTL/CMOS
  • Oscillateurs et circuits de temporisation

🔌 Brochage / Pinout (TO‑92)


BrocheNomDescription
1Collecteur (C)Broche de collecteur – charge externe
2Base (B)Broche de commande – polarisation par résistance
3Émetteur (E)Broche d'émetteur – généralement à la masse

Le brochage standard TO‑92 (vue de dessus, face brochages) est : broche 1 = Collecteur, broche 2 = Base, broche 3 = Émetteur.

⚠️ Limites Maximales (Absolute Maximum Ratings, TA = 25 °C)

SymboleParamètreValeurUnité
VCBOTension collecteur‑base (BC547)50V
VCEOTension collecteur‑émetteur (BC547)45V
VEBOTension émetteur‑base (BC546/547)6,0V
ICCourant de collecteur continu (DC)100mA
PCPuissance dissipée totale500mW
TJTempérature de jonction maximale150°C
TstgPlage de température de stockage-65 à +150°C

📊 Caractéristiques Électriques (TA = 25 °C, sauf indication)

Caractéristiques de blocage (Off)

CaractéristiqueSymboleConditionsMinTypMaxUnité
Courant de fuite collecteur‑baseICBOVCB = 30 V, IE = 015nA

Caractéristiques de conduction (On)

CaractéristiqueSymboleConditionsMinTypMaxUnité
Gain en courant DChFEVCE = 5 V, IC = 2 mA (classe A)110220
VCE = 5 V, IC = 2 mA (classe B)200450
VCE = 5 V, IC = 2 mA (classe C)420800
Tension de saturation collecteur‑émetteurVCE(sat)IC = 10 mA, IB = 0,5 mA90200mV
IC = 100 mA, IB = 5 mA250600mV
Tension de saturation base‑émetteurVBE(sat)IC = 10 mA, IB = 0,5 mA700mV
IC = 100 mA, IB = 5 mA900mV
Tension base‑émetteur (on)VBE(on)VCE = 5 V, IC = 2 mA580660700mV
VCE = 5 V, IC = 10 mA720mV

Caractéristiques petits signaux

CaractéristiqueSymboleConditionsMinTypMaxUnité
Produit gain‑bande passantefTVCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz300MHz
Capacité de sortieCobVCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz3,56,0pF
Capacité d'entréeCibVEB = 0,5 V, IC = 0, f = 1 MHz9pF
Facteur de bruit (série BC546/547/548)NFVCE = 5 V, IC = 200 µA, RG = 2 kΩ, f = 1 kHz210dB

Les valeurs typiques sont fournies à titre indicatif. Les caractéristiques peuvent varier selon les lots de production.

🔬 Description Fonctionnelle

Le BC547 est un transistor NPN à jonctions. En mode actif linéaire, une petite variation du courant de base produit une variation amplifiée du courant collecteur (IC = β × IB). La tension de saturation collecteur‑émetteur VCE(sat) est typiquement de 90 mV à 10 mA, permettant une utilisation efficace en commutation. Le produit gain‑bande passante (fT) de 300 MHz le rend adapté aux applications HF jusqu’à plusieurs dizaines de mégahertz. Sa capacité de sortie (Cob) de 6 pF et sa capacité d’entrée (Cib) de 9 pF minimisent les effets capacitifs en haute fréquence. Le composant est conçu pour supporter une dissipation de 500 mW à TA = 25 °C.

📏 Dimensions du Boîtier (TO‑92)

SymboleMin (mm)Max (mm)Min (pouces)Max (pouces)
A4,455,200,1750,205
B4,325,330,1700,210
C3,184,190,1250,165
D0,400,540,0160,021
G2,402,800,0950,110
J0,390,500,0150,020
K12,700,500

Le boîtier TO‑92 peut être fourni avec des broches droites (bulk pack) ou coudées (tape & reel / ammo pack).

📌 Notes Techniques

  • Dissipation thermique : La puissance maximale de 500 mW est spécifiée à TA = 25 °C. Pour des températures ambiantes plus élevées, un déclassement linéaire est recommandé.
  • Montage : Les soudures doivent être effectuées à une distance minimale de 3 mm du corps du boîtier, avec une température de fer à souder ne dépassant pas 260 °C pendant 10 secondes.
  • Classification hFE : Choisissez le suffixe A (110-220), B (200-450) ou C (420-800) selon le gain souhaité.
  • Compatibilité : Le BC547 est électriquement compatible avec le 2N2222 dans la plupart des applications, mais le brochage diffère. Toujours vérifier la correspondance des broches.

🛒 Où Acheter le transistor BC547 :

  • Au Maroc : abrid.ma (consultez le catalogue en ligne).
  • À l'International : Mouser Electronics – livraison mondiale et stock en direct.

⚠️ Note d’information et clause de non‑responsabilité : Les données ci‑dessus sont extraites exactement de la datasheet PDF originale Fairchild Semiconductor (Référence BC546/547/548/549/550, Rev. A2, août 2002). Aucune valeur n’a été ajoutée ou déduite. Les informations sont fournies à titre indicatif. Pour les dernières révisions et spécifications certifiées, veuillez consulter la documentation originale du fabricant (datasheet source).

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