P2N2222A NPN Amplifier Transistor
📄 Description Générale
Le P2N2222A est un transistor bipolaire NPN au silicium, conçu pour les applications d’amplification et de commutation générales. Il supporte un courant de collecteur continu de 600 mA et une tension collecteur‑émetteur de 40 V. Le boîtier TO‑92 (TO‑226) permet un montage traversant économique. Ses caractéristiques incluent un gain en courant élevé (hFE jusqu’à 300), un produit gain‑bande passante de 300 MHz, des temps de commutation rapides et une faible capacité parasite. Il est disponible en version sans plomb (Pb‑Free).
✨ Principales Caractéristiques
🎯 Applications Typiques
- Amplificateur de petits signaux (audio, HF)
- Commutateur généraliste (LED, relais, buzzer)
- Étage driver pour microcontrôleurs et logique TTL/CMOS
- Oscillateurs et circuits de temporisation
🔌 Brochage / Pinout (TO‑92)
| Broche | Nom | Description |
|---|---|---|
| 1 | Émetteur (E) | Broche d'émetteur (généralement à la masse) |
| 2 | Base (B) | Broche de commande – polarisation par résistance |
| 3 | Collecteur (C) | Broche de collecteur – charge externe |
Le brochage TO‑92 standard (vue de dessus, face brochages) est : broche 1 = Émetteur, broche 2 = Base, broche 3 = Collecteur (style 17 du boîtier CASE 29).
⚠️ Limites Maximales (Maximum Ratings)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| VCEO | Tension collecteur‑émetteur | 40 | V |
| VCBO | Tension collecteur‑base | 75 | V |
| VEBO | Tension émetteur‑base | 6,0 | V |
| IC | Courant de collecteur continu | 600 | mA |
| PD @ TA = 25 °C | Puissance dissipée (ambiant) | 625 | mW |
| Derating | Déclassement au‑delà de 25 °C | 5,0 | mW/°C |
| PD @ TC = 25 °C | Puissance dissipée (boîtier) | 1,5 | W |
| Derating | Déclassement au‑delà de 25 °C | 12 | mW/°C |
| TJ, Tstg | Plage de température de jonction / stockage | -55 à +150 | °C |
Les contraintes au‑delà des limites maximales peuvent endommager le composant. Ces valeurs sont des tensions de contrainte uniquement ; un fonctionnement aux limites n'est pas garanti.
📊 Caractéristiques Thermiques
| Paramètre | Symbole | Max | Unité |
|---|---|---|---|
| Résistance thermique jonction‑ambiant | RθJA | 200 | °C/W |
| Résistance thermique jonction‑boîtier | RθJC | 83,3 | °C/W |
📊 Conditions de Fonctionnement Recommandées
Aucune plage de fonctionnement recommandée n’est explicitement spécifiée dans la datasheet. Les valeurs ci‑dessus sont les limites maximales absolues. Les caractéristiques électriques sont garanties à TA = 25 °C, sauf indication contraire.
⚡ Caractéristiques Électriques (TA = 25 °C, sauf indication)
Caractéristiques de blocage (Off)
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|
| Tension de claquage collecteur‑émetteur | V(BR)CEO | IC = 10 mA, IB = 0 | 40 | – | V |
| Tension de claquage collecteur‑base | V(BR)CBO | IC = 10 µA, IE = 0 | 75 | – | V |
| Tension de claquage émetteur‑base | V(BR)EBO | IE = 10 µA, IC = 0 | 6,0 | – | V |
| Courant de fuite collecteur (avec VEB) | ICEX | VCE = 60 V, VEB(off) = 3,0 V | – | 10 | nA |
| Courant de fuite collecteur‑base | ICBO | VCB = 60 V, IE = 0, TA = 25 °C | – | 0,01 | µA |
| VCB = 60 V, IE = 0, TA = 150 °C | – | 10 | µA | ||
| Courant de fuite émetteur‑base | IEBO | VEB = 3,0 V, IC = 0 | – | 10 | nA |
| Courant de fuite collecteur‑émetteur | ICEO | VCE = 10 V | – | 10 | nA |
| Courant de fuite base | IBEX | VCE = 60 V, VEB(off) = 3,0 V | – | 20 | nA |
Caractéristiques de conduction (On)
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Gain en courant DC | hFE | IC = 0,1 mA, VCE = 10 V | 35 | – | – | |
| IC = 1,0 mA, VCE = 10 V | 50 | – | – | |||
| IC = 10 mA, VCE = 10 V | 75 | – | – | |||
| IC = 10 mA, VCE = 10 V, TA = -55 °C | 35 | – | – | |||
| IC = 150 mA, VCE = 10 V (Note 1) | 100 | – | 300 | |||
| IC = 150 mA, VCE = 1,0 V (Note 1) | 50 | – | – | |||
| IC = 500 mA, VCE = 10 V (Note 1) | 40 | – | – | |||
| Tension de saturation CE | VCE(sat) | IC = 150 mA, IB = 15 mA (Note 1) | – | – | 0,3 | V |
| IC = 500 mA, IB = 50 mA (Note 1) | – | – | 1,0 | V | ||
| Tension de saturation BE | VBE(sat) | IC = 150 mA, IB = 15 mA (Note 1) | 0,6 | – | 1,2 | V |
| IC = 500 mA, IB = 50 mA (Note 1) | – | – | 2,0 | V |
Caractéristiques petits signaux
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Produit gain‑bande passante | fT | IC = 20 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz | 300 | – | – | MHz |
| Capacité de sortie | Cobo | VCB = 10 V, IE = 0, f = 1,0 MHz | – | – | 8,0 | pF |
| Capacité d’entrée | Cibo | VEB = 0,5 V, IC = 0, f = 1,0 MHz | – | – | 25 | pF |
| Impédance d’entrée | hie | IC = 1,0 mA, VCE = 10 V, f = 1,0 kHz | 2,0 | – | 8,0 | kΩ |
| IC = 10 mA, VCE = 10 V, f = 1,0 kHz | 0,25 | – | 1,25 | kΩ | ||
| Taux de retour de tension | hre | IC = 1,0 mA, VCE = 10 V, f = 1,0 kHz | – | – | 8,0×10⁻⁴ | |
| IC = 10 mA, VCE = 10 V, f = 1,0 kHz | – | – | 4,0×10⁻⁴ | |||
| Gain en courant petits signaux | hfe | IC = 1,0 mA, VCE = 10 V, f = 1,0 kHz | 50 | – | 300 | |
| IC = 10 mA, VCE = 10 V, f = 1,0 kHz | 75 | – | 375 | |||
| Admittance de sortie | hoe | IC = 1,0 mA, VCE = 10 V, f = 1,0 kHz | 5,0 | – | 35 | µmhos |
| IC = 10 mA, VCE = 10 V, f = 1,0 kHz | 25 | – | 200 | µmhos | ||
| Constante de temps collecteur‑base | rb′Cc | IE = 20 mA, VCB = 20 V, f = 31,8 MHz | – | – | 150 | ps |
| Facteur de bruit | NF | IC = 100 µA, VCE = 10 V, RS = 1,0 kΩ, f = 1,0 kHz | – | – | 4,0 | dB |
Caractéristiques de commutation
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|
| Temps de retard | td | VCC = 30 V, VBE(off) = -2,0 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA | – | 10 | ns |
| Temps de montée | tr | – | 25 | ns | |
| Temps de stockage | ts | VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA | – | 225 | ns |
| Temps de descente | tf | – | 60 | ns |
Note 1 : Mesures pulsées, largeur d’impulsion ≤ 300 µs, rapport cyclique ≤ 2 %.
Note 2 : fT est défini comme la fréquence à laquelle |hfe| s’extrapole à 1.
🔬 Description Fonctionnelle
Le P2N2222A est un transistor NPN à jonctions. En mode actif linéaire, une petite variation du courant de base produit une variation amplifiée du courant collecteur (IC = β × IB). La tension de saturation collecteur‑émetteur VCE(sat) est typiquement de 0,3 V à 150 mA, permettant une utilisation comme interrupteur efficace. Le produit gain‑bande passante (fT) de 300 MHz le rend adapté aux applications HF jusqu’à plusieurs dizaines de mégahertz. Sa capacité de sortie (Cobo) de 8 pF et sa capacité d’entrée (Cibo) de 25 pF minimisent les effets capacitifs en haute fréquence. Le composant est conçu pour supporter une dissipation de 625 mW à 25 °C, avec un déclassement linéaire de 5 mW/°C.
📏 Dimensions du Boîtier (TO‑92 / TO‑226)
| Symbole | Min (mm) | Max (mm) | Min (pouces) | Max (pouces) |
|---|---|---|---|---|
| A | 4,45 | 5,20 | 0,175 | 0,205 |
| B | 4,32 | 5,33 | 0,170 | 0,210 |
| C | 3,18 | 4,19 | 0,125 | 0,165 |
| D | 0,40 | 0,54 | 0,016 | 0,021 |
| G | 2,40 | 2,80 | 0,095 | 0,110 |
| J | 0,39 | 0,50 | 0,015 | 0,020 |
| K | 12,70 | – | 0,500 | – |
| N | 2,04 | 2,66 | 0,080 | 0,105 |
| P | 1,50 | 4,00 | – | – |
| R | 2,93 | – | – | – |
Le boîtier TO‑92 (TO‑226) peut être fourni avec des broches droites (bulk pack) ou coudées (tape & reel / ammo pack).
📌 Notes Techniques
- Dissipation thermique : Pour une température ambiante supérieure à 25 °C, la puissance maximale doit être réduite de 5,0 mW/°C (pour PD = 625 mW) ou de 12 mW/°C (pour PD = 1,5 W sur boîtier). La résistance thermique jonction‑ambiant RθJA est de 200 °C/W.
- Montage : Les soudures doivent être effectuées à une distance minimale de 1,6 mm du boîtier, avec une température de fer à souder ne dépassant pas 260 °C pendant 10 secondes.
- Commutateur : Pour une utilisation en commutation, la surcharge de courant de base (IB ≫ IC/hFE) garantit une faible tension de saturation.
- Pb‑Free : Les versions P2N2222ARL1G (bulk) et P2N2222AG (tape & ammo) sont sans plomb et conformes RoHS.
🛒 Où Acheter le transistor P2N2222A :
- Au Maroc : abrid.ma (consultez le catalogue en ligne).
- À l’International : Mouser Electronics – livraison mondiale et stock en direct.
⚠️ Note d’information et clause de non‑responsabilité : Les données ci‑dessus sont extraites exactement de la datasheet officielle ON Semiconductor (Publication Order Number: P2N2222A/D, Revision 7, January 2013). Aucune valeur n’a été ajoutée ou déduite. Les informations sont fournies à titre indicatif. Pour les dernières révisions et spécifications certifiées, veuillez consulter la documentation originale du fabricant (datasheet source).