Description générale
Le RMF65R380, fabriqué par Rimal Semiconductors, est un transistor MOSFET de puissance à canal N utilisant la technologie avancée Super Junction. Conçu pour des tensions élevées de 650 V, il supporte un courant continu de drain de 10,6 A. L'architecture Super Junction lui permet d'offrir une résistance à l'état passant (RDS(ON)) extrêmement faible, atteignant un maximum de 380 mΩ. Ce composant garantit de très faibles pertes de commutation, ce qui le rend particulièrement adapté aux topologies de conversion d'énergie à haute fréquence. Livré dans un boîtier isolé TO-220F, ce composant qualifié "Green Device" assure également une robustesse vérifiée par un test d'avalanche à 100%.
Principales caractéristiques
Applications typiques
- Étages d'alimentation PFC (Correction du Facteur de Puissance)
- Applications de commutation haute vitesse
- Adaptateurs secteurs à haut rendement
Brochage / Pinout
| Broche | Symbole | Description fonctionnelle |
|---|---|---|
| 1 | G | Gate (Grille) : Contrôle du transistor |
| 2 | D | Drain : Entrée de puissance |
| 3 | S | Source : Sortie vers la référence |
Maximum Ratings (Valeurs limites absolues, Ta = 25°C)
| Paramètre | Symbole | Valeur max | Unité |
|---|---|---|---|
| Tension Drain-Source | VDS | 650 | V |
| Tension Grille-Source | VGS | ±30 | V |
| Courant de Drain Continu (Tc = 25°C) | ID | 10.6 | A |
| Courant de Drain Continu (Tc = 100°C) | ID | 6.7 | A |
| Courant de Drain Pulsé | IDM | 31.8 | A |
| Énergie d'avalanche à impulsion unique | EAS | 216 | mJ |
| MOSFET dv/dt / Ruggedness | dv/dt | 50 | V/ns |
| Diode dv/dt / Ruggedness | dv/dt | 15 | V/ns |
| Dissipation de puissance totale (Tc = 25°C) | PD | 30.5 | W |
| Plage de températures de fonctionnement et de stockage | TJ, TSTG | -55 à 150 | °C |
Electrical Characteristics (Caractéristiques électriques, Ta = 25°C)
| Paramètre | Symbole | Conditions de test | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tension de claquage Drain-Source | BVDSS | VGS = 0V, ID = 250µA | 650 | - | - | V |
| Résistance à l'état passant | RDS(ON) | VGS = 10V, ID = 3.2A | - | 320 | 380 | mΩ |
| Tension de seuil de grille | VGS(th) | VGS = VDS, ID = 250µA | 2 | 3 | 4 | V |
| Courant de fuite Drain-Source | IDSS | VDS = 650V, VGS = 0V, TJ = 25°C | - | - | 1 | µA |
| Charge totale de grille | Qg | VDS = 520V, VGS = 10V, ID = 10.6A | - | 20.6 | - | nC |
| Capacité d'entrée | Ciss | VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz | - | 763 | - | pF |
| Tension directe de la diode | VSD | VGS = 0V, IS = 10.6A, TJ = 25°C | - | - | 1.4 | V |
| Temps de recouvrement inverse (Diode) | trr | ISD = 10.6A, di/dt = 100A/µs, VDD = 100V | - | 324 | - | ns |
Description Fonctionnelle
Le RMF65R380 capitalise sur la technologie Super Junction, qui permet de repousser la limite théorique de silicium entre la résistance à l'état passant et la tension de claquage. Avec seulement 20.6 nC de charge totale de grille et des capacités d'entrée/sortie (Ciss, Coss) extrêmement optimisées, ce MOSFET permet de réduire considérablement la taille des dissipateurs thermiques en limitant les pertes par commutation dynamique. Sa diode intrinsèque assure des temps de recouvrement fiables. Capable d'absorber des pics d'avalanche de 216 mJ et de tolérer une rampe de tension dv/dt de 50 V/ns, il constitue un choix de premier ordre pour les alimentations où la densité de puissance et le rendement énergétique (tels que les circuits PFC) sont cruciaux.
Dimensions du boîtier (TO-220F)
Ce composant est disponible dans le boîtier industriel isolé standard TO-220F. Les dimensions clés incluent :
| Dimension | Symbole | Min (mm) | Max (mm) |
|---|---|---|---|
| Épaisseur du corps | A | 4.50 | 4.90 |
| Largeur totale | E | 9.96 | 10.44 |
| Longueur des broches | F | 12.68 | 13.28 |
| Pas (Pitch) | e | 2.540 BSC | |
Notes techniques
- La dissipation thermique continue doit être gérée scrupuleusement. La résistance thermique jonction-boîtier (RthJC) est de 4,1 °C/W.
- Les mesures de courant pulsé (IDM) sont contraintes par une largeur d'impulsion ≤ 300 µs et un rapport cyclique ≤ 2%. La largeur d'impulsion ultime est de toute façon limitée par la température de jonction maximale.
- Le test d'énergie d'avalanche (EAS) de 216 mJ, certifiant la robustesse de chaque composant, est validé avec les paramètres suivants : VDD = 50 V, VGS = 10 V, L = 150 mH, et IAS = 1.7 A.
- La limite de durcissement (dv/dt) de la diode stipule que ISD ≤ ID, avec VDD ≤ BVDSS, en démarrant à une température de jonction (TJ) de 25°C.
- La capacité de sortie effective (Co(er)) est la valeur de capacité qui offre la même quantité d'énergie stockée que Coss, pour un VDS variant de 0 V à 80 % de BVDSS.
Où acheter le RMF65R380 ?
Le RMF65R380 et ses équivalents sont disponibles pour la réalisation de vos prototypes ou votre production en série :
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