Description générale
Le RMF20N65 de Rimal Semiconductors est un transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour supporter des tensions élevées (650 V) et des courants importants (jusqu'à 20 A). Développé grâce à une nouvelle technologie planaire propriétaire, ce composant est optimisé pour les commutations rapides. Il intègre une diode de corps à recouvrement rapide et présente une faible charge de grille, ce qui permet de minimiser drastiquement les pertes d'énergie lors des cycles de commutation. Il est encapsulé dans un boîtier TO-220F entièrement moulé, facilitant l'isolation électrique lors du montage sur dissipateur thermique.
Principales caractéristiques
Applications typiques
- Alimentations principales pour téléviseurs
- Alimentations pour panneaux LCD
- Adaptateurs secteurs universels
- Alimentations à découpage (SMPS) haute puissance
Brochage / Pinout
| Broche | Symbole | Description fonctionnelle |
|---|---|---|
| 1 | G | Gate (Grille) : Contrôle de la commutation du transistor |
| 2 | D | Drain : Broche d'entrée du courant principal |
| 3 | S | Source : Broche de sortie du courant vers la référence de masse |
Maximum Ratings (Valeurs limites absolues, Ta = 25°C)
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| Tension Drain-Source | VDS | 650 | V |
| Tension Grille-Source | VGS | ±20 | V |
| Courant de Drain Continu (Tc = 25°C) | ID | 20 | A |
| Courant de Drain Continu (Tc = 100°C) | ID | 13 | A |
| Courant de Drain Pulsé | IDM | 80 | A |
| Énergie d'avalanche à impulsion unique | EAS | 850 | mJ |
| Courant d'avalanche | IAS | 10 | A |
| Dissipation de puissance totale (Tc = 25°C) | PD | 65 | W |
| Dissipation de puissance totale (Tc = 100°C) | PD | 26 | W |
| dv/dt de recouvrement de la diode | dv/dt | 5.0 | V/ns |
| Plage de températures de jonction et de stockage | TJ, TSTG | -55 à 150 | °C |
Recommended Operating Conditions
Données non spécifiées dans la documentation source. L'utilisation doit se conformer aux valeurs limites absolues.
Electrical Characteristics (Caractéristiques électriques, Ta = 25°C)
| Paramètre | Symbole | Conditions de test | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tension de claquage Drain-Source | BVDSS | VGS = 0V, ID = 250µA | 650 | - | - | V |
| Résistance à l'état passant | RDS(ON) | VGS = 10V, ID = 10A | - | 380 | 500 | mΩ |
| Tension de seuil de grille | VGS(th) | VGS = VDS, ID = 250µA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| Courant de fuite Drain-Source (25°C) | IDSS | VDS = 650V, VGS = 0V | - | - | 1 | µA |
| Charge totale de grille | Qg | VDS = 325V, VGS = 10V, ID = 20A | - | 65 | - | nC |
| Tension directe de la diode de corps | VSD | IS = 20A, VGS = 0V, TJ = 25°C | - | - | 1.5 | V |
| Temps de recouvrement inverse | trr | IF = 20A, dI/dt = 100A/µs, TJ = 25°C | - | 800 | - | ns |
Functional Description
Le RMF20N65 est conçu pour les étages de puissance soumis à de fortes contraintes. Sa faible résistance à l'état passant (typique de 380 mΩ) permet de limiter l'échauffement statique sous un courant élevé, garantissant de bonnes performances dans les convertisseurs de fortes puissances (écrans LCD, gros adaptateurs). Sa robustesse est renforcée par sa capacité à dissiper une énergie d'avalanche (EAS) impressionnante de 850 mJ, le protégeant contre les fortes surtensions inductives. De plus, sa transconductance (gfs) typique de 15 S assure un contrôle efficace et réactif du courant de drain par la tension de grille. Le boîtier TO-220F, avec sa résistance thermique jonction-boîtier de 1,92 °C/W, assure une bonne évacuation de la chaleur vers un dissipateur.
Dimensions du boîtier (TO-220F)
Le composant est fourni en boîtier isolé TO-220F. Voici quelques dimensions clés extraites de la fiche technique :
| Dimension | Min (mm) | Max (mm) |
|---|---|---|
| Épaisseur du boîtier (A) | 4.50 | 4.90 |
| Largeur du boîtier (E) | 9.96 | 10.44 |
| Longueur des broches (F) | 12.68 | 13.28 |
| Pas entre les broches (e) | 2.540 BSC | |
Notes techniques
- La dissipation de puissance maximale autorisée (65 W) est conditionnée par le fait de maintenir la température de la jonction (Tj) strictement en dessous de 150 °C.
- Les courants limites de drain (ID et IDM) en usage réel dépendent de la capacité du système à dissiper la chaleur et doivent être dimensionnés en conséquence.
- Les données thermiques sur l'air ambiant (100 °C/W) sont basées sur un test avec montage en surface sur une carte FR-4 d'un pouce carré, dotée de 2 OZ de cuivre.
- Le test d'énergie d'avalanche (EAS) est réalisé dans les conditions suivantes : VDD = 50 V, VGS = 10 V, L = 17 mH, IAS = 10 A.
- La limite de rampe de tension dv/dt de la diode s'applique aux conditions : ISD = 20 A, di/dt < 100 A/µs, VDD < BVDSS et TJ = 150 °C.
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