RMF10N65 Datasheet PDF : MOSFET 650V 10A
📄 Description Générale
Le RMF10N65 est un MOSFET de puissance à canal N utilisant une technologie Planar. Il offre une faible résistance à l’état passant (RDS(on) max 0.9 Ω à 10 V) et un courant continu de 10 A à Tc = 25 °C. Le boîtier TO‑220F (isolé) permet un montage sur dissipateur sans isolation supplémentaire. Les caractéristiques incluent une énergie d’avalanche garantie (EAS = 3500 mJ), une diode de corps à recouvrement rapide (trr typ. 450 ns) et une charge de grille réduite (Qg typ. 32 nC). Le composant est 100% testé en avalanche, sans plomb (« Green »).
✨ Principales Caractéristiques
🎯 Applications Typiques
- Alimentations à découpage (Switch Mode Power Supply – SMPS)
- Alimentations sans interruption (Uninterruptible Power Supply – UPS)
- Correction du facteur de puissance (Power Factor Correction – PFC)
🔌 Brochage / Pinout (TO‑220F)
| Broche | Nom | Description |
|---|---|---|
| 1 | Grille (Gate - G) | Commande de grille (tension ±30 V max) |
| 2 | Drain (D) | Drain de puissance |
| 3 | Source (S) | Source de puissance (référence) |
Brochage TO‑220F standard (boîtier entièrement isolé). Le boîtier n’est pas conducteur électriquement.
⚠️ Limites Maximales (Absolute Maximum Ratings)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| VDS | Tension drain‑source | 650 | V |
| VGS | Tension grille‑source | ±30 | V |
| ID | Courant drain continu (Tc = 25 °C, VGS = 10 V) 1 | 10 | A |
| ID | Courant drain continu (Tc = 100 °C, VGS = 10 V) 1 | 6.4 | A |
| IDM | Courant drain pulsé 2 | 40 | A |
| PD | Puissance dissipée totale (Tc = 25 °C) 4 | 60 | W |
| PD | Puissance dissipée totale (Tc = 100 °C) 4 | 24 | W |
| EAS | Énergie d’avalanche single pulse 3 | 3500 | mJ |
| IAS | Courant d’avalanche | 10 | A |
| TJ, TSTG | Plage de température de jonction / stockage | -55 à +150 | °C |
Notes : (1) Les données sont mesurées sur un PCB 1 inch² FR‑4 avec 2 oz de cuivre. (2) Largeur d’impulsion ≤ 300 µs, rapport cyclique ≤ 2 %. (3) Conditions : VDD = 50 V, VGS = 10 V, L = 10 mH, IAS = 10 A. (4) Limité par la température de jonction 150 °C.
📊 Caractéristiques Thermiques
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| RθJA | Résistance thermique jonction‑ambiant (steady state) 1 | 75 | °C/W |
| RθJC | Résistance thermique jonction‑boîtier 1 | 2.08 | °C/W |
📊 Conditions de Fonctionnement Recommandées
Aucune plage de fonctionnement recommandée n’est spécifiée dans la datasheet. Les valeurs ci‑dessus sont les limites maximales absolues.
⚡ Caractéristiques Électriques (Ta = 25 °C, sauf indication)
Static Characteristics (Caractéristiques statiques)
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tension de claquage drain‑source | BVDSS | VGS = 0 V, ID = 250 µA | 650 | – | – | V |
| Résistance à l’état passant 2 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 5 A | – | 0.75 | 0.9 | Ω |
| Tension de seuil de grille | VGS(th) | VGS = VDS, ID = 250 µA | 2.0 | – | 4.0 | V |
| Courant de fuite drain‑source (Tj = 25 °C) | IDSS | VDS = 650 V, VGS = 0 V | – | – | 1 | µA |
| Courant de fuite grille‑source | IGSS | VGS = ±30 V, VDS = 0 V | – | – | ±100 | nA |
Dynamic Characteristics (Caractéristiques dynamiques)
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Capacité d’entrée | Ciss | VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz | – | 1600 | – | pF |
| Capacité de sortie | Coss | – | 140 | – | pF | |
| Capacité de transfert inverse | Crss | – | 15 | – | pF |
Switching Times (Temps de commutation, typiques)
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Temps de retard à l’ouverture | td(on) | VDS = 300 V, VGS = 10 V, RG = 4.7 Ω, ID = 10 A | – | 12 | – | ns |
| Temps de montée | tr | – | 15 | – | ns | |
| Temps de retard à la fermeture | td(off) | – | 45 | – | ns | |
| Temps de descente | tf | – | 20 | – | ns |
Gate Charge (Charge de grille, typique)
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Charge de grille totale (10 V) | Qg | VDS = 480 V, VGS = 10 V, ID = 10 A | – | 32 | – | nC |
| Charge grille‑source | Qgs | – | 8.0 | – | nC | |
| Charge grille‑drain (Miller) | Qgd | – | 8.5 | – | nC |
Source-Drain Diode Characteristics (Diode de corps)
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Courant source continu | IS | VGS = VDS = 0 V, force current 1,5 | – | – | 10 | A |
| Courant source pulsé 2,5 | ISM | VGS = VDS = 0 V, force current | – | – | 40 | A |
| Tension directe de diode 2 | VSD | IS = 10 A, VGS = 0 V, Tj = 25 °C | – | – | 1.4 | V |
| Temps de recouvrement inverse | trr | IS = 10 A, di/dt = 100 A/µs, Tj = 25 °C | – | 450 | – | ns |
| Charge de recouvrement inverse | Qrr | – | 1.0 | – | µC |
Notes :
(1) Mesures sur PCB 1 inch² FR‑4 avec 2 oz de cuivre.
(2) Régime pulsé : largeur ≤ 300 µs, rapport cyclique ≤ 2 %.
(3) EAS mesuré avec VDD = 50 V, VGS = 10 V, L = 10 mH, IAS = 10 A.
(4) La puissance dissipée est limitée par la température de jonction 150 °C.
(5) Le courant continu théorique est celui de ID/IDM ; en application, il est limité par la dissipation.
🔬 Description Fonctionnelle
Le RMF10N65 intègre une technologie Planar qui minimise la résistance à l’état passant (RDS(on) max 0.9 Ω à 10 V) et réduit la charge de grille (Qg typ. 32 nC). La diode de corps est optimisée pour un recouvrement rapide (trr typ. 450 ns), autorisant la commutation dans les topologies half‑bridge. L’énergie d’avalanche garantie (3500 mJ) le rend robuste contre les surtensions inductives. La tension de seuil VGS(th) est comprise entre 2.0 V et 4.0 V, compatible avec des commandes logiques 5 V (mais une commande 10 V est recommandée pour le RDS(on) minimal). La dissipation maximale est de 60 W à Tc = 25 °C, avec une résistance thermique jonction‑boîtier RθJC = 2.08 °C/W.
🔧 Schémas d’Application Typique
Figure 1 – Exemple d’alimentation à découpage (flyback) avec un RMF10N65 comme interrupteur principal.
Figure 2 – Montage typique pour la correction du facteur de puissance (PFC).
📏 Dimensions du Boîtier (TO‑220F)
| Symbole | MIN (mm) | MAX (mm) | MIN (pouces) | MAX (pouces) |
|---|---|---|---|---|
| A | 4.50 | 4.90 | 0.1772 | 0.1929 |
| A2 | 2.55 | 2.95 | 0.1004 | 0.1161 |
| B | 0.70 | 0.92 | 0.0275 | 0.0362 |
| B2 | 1.10 | 1.50 | 0.0433 | 0.0590 |
| B3 | 1.05 | 1.38 | 0.0413 | 0.0543 |
| C | 2.34 | 2.74 | 0.0921 | 0.1078 |
| D | 3.10 | 3.50 | 0.1220 | 0.1378 |
| D2 | 6.48 | 6.88 | 0.2551 | 0.2708 |
| D3 | 15.57 | 16.17 | 0.6130 | 0.6366 |
| E | 9.96 | 10.44 | 0.3921 | 0.4110 |
| e (pas) | 2.54 BSC (0.100 BSC) | |||
| F | 12.68 | 13.28 | 0.4992 | 0.5228 |
| G | 3.25 | 3.65 | 0.1279 | 0.1437 |
| Φ | 3.08 | 3.28 | 0.1212 | 0.1291 |
Boîtier TO‑220F entièrement isolé (pas de plot métallique exposé). Le trou de fixation (Φ) est prévu pour une vis standard.
📌 Notes Techniques
- Montage : Le boîtier TO‑220F est isolé électriquement, aucun isolant supplémentaire n’est requis. Le dissipateur thermique peut être mis à la masse.
- EAS : L’énergie d’avalanche est mesurée avec L = 10 mH, IAS = 10 A, VDD = 50 V (note 3).
- Résistance thermique : RθJC = 2.08 °C/W, RθJA = 75 °C/W (steady state).
- Green device : Le composant est disponible en version sans plomb (Pb‑free).
- Courant pulsé : L’IDM de 40 A est une valeur maximale pour une impulsion unique (≤ 300 µs).
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⚠️ Note d’information et clause de non‑responsabilité : Les données ci‑dessus sont extraites exactement du fichier RMF10N65_Datasheet_V1.0.pdf (Rimal Semiconductors, REV 1.0, MAY‑2026). Aucune valeur n’a été ajoutée ou déduite. Les informations sont fournies à titre indicatif. Pour les dernières révisions et spécifications certifiées, veuillez consulter la documentation originale du fabricant.