Description générale
Le RMF7N65 est un transistor MOSFET de puissance planaire à canal N, fabriqué par Rimal Semiconductors. Conçu pour supporter des tensions élevées allant jusqu'à 650 V, il délivre un courant de drain continu de 7 A. Ce composant se caractérise par une faible charge de grille qui permet de minimiser drastiquement les pertes liées à la commutation, le rendant particulièrement efficace pour la conception de convertisseurs de puissance à haut rendement. Intégrant une diode de corps à recouvrement rapide et présenté dans un boîtier isolé TO-220F, ce MOSFET garantit à la fois une excellente dissipation thermique et une robustesse accrue dans les environnements exigeants. Il est par ailleurs certifié conforme à la directive RoHS, répondant ainsi aux normes environnementales actuelles de l'industrie électronique.
Principales caractéristiques
Applications typiques
- Adaptateurs secteurs universels
- Chargeurs de batteries haute performance
- Circuits d'alimentation en mode veille (Standby Power)
- Alimentations à découpage (SMPS) de diverses topologies
Brochage / Pinout
| Broche | Symbole | Description fonctionnelle |
|---|---|---|
| 1 | G | Gate (Grille) : Broche de commande en tension du transistor |
| 2 | D | Drain : Entrée du courant principal |
| 3 | S | Source : Sortie du courant principal vers la référence |
Maximum Ratings (Valeurs limites absolues, Ta = 25°C)
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| Tension Drain-Source | VDS | 650 | V |
| Tension Grille-Source | VGS | ±30 | V |
| Courant de Drain Continu (Tc = 25°C) | ID | 7 | A |
| Courant de Drain Continu (Tc = 100°C) | ID | 4.5 | A |
| Courant de Drain Pulsé | IDM | 28 | A |
| Énergie d'avalanche à impulsion unique | EAS | 245 | mJ |
| Courant d'avalanche | IAS | 7 | A |
| Dissipation de puissance totale (Tc = 25°C) | PD | 42 | W |
| Dissipation de puissance totale (Tc = 100°C) | PD | 17 | W |
| Plage de températures de jonction et de stockage | TJ, TSTG | -55 à 150 | °C |
Recommended Operating Conditions
Non spécifié dans le document source. Les limites opérationnelles sont encadrées par les valeurs maximales absolues et la dissipation thermique globale.
Electrical Characteristics (Caractéristiques électriques, Ta = 25°C)
| Paramètre | Symbole | Conditions de test | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tension de claquage Drain-Source | BVDSS | VGS = 0V, ID = 250µA | 650 | - | - | V |
| Résistance à l'état passant | RDS(ON) | VGS = 10V, ID = 3.5A | - | 1.2 | 1.4 | Ω |
| Tension de seuil de grille | VGS(th) | VGS = VDS, ID = 250µA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| Courant de fuite Drain-Source | IDSS | VDS = 650V, VGS = 0V, TJ = 25°C | - | - | 1 | µA |
| Charge totale de grille | Qg | VDS = 325V, VGS = 10V, ID = 7A | - | 20 | - | nC |
| Tension directe de la diode de corps | VSD | IS = 7A, VGS = 0V, TJ = 25°C | - | - | 1.5 | V |
| Temps de recouvrement inverse de la diode | trr | IF = 7A, dI/dt = 100A/µs, TJ = 25°C | - | 350 | - | ns |
Functional Description
D'un point de vue fonctionnel, le RMF7N65 s'appuie sur une architecture planaire éprouvée permettant de soutenir une tension de claquage élevée de 650 V, le rendant adapté au raccordement direct sur le réseau redressé dans les topologies d'alimentations isolées. La résistance interne (RDS(ON)), spécifiée à un maximum de 1,4 ohm pour un courant de 3,5 A et une tension de grille de 10 V, limite l'échauffement statique en conduction. Le comportement dynamique du transistor est optimisé grâce à des capacités parasites maîtrisées (Ciss typique de 1120 pF) et une charge de grille totale (Qg) évaluée à seulement 20 nC en moyenne. Ces paramètres réduisent significativement l'énergie requise par le circuit driver de grille et favorisent des transitions marche/arrêt rapides, un atout majeur pour limiter les pertes dynamiques à haute fréquence. En régime d'avalanche, la robustesse du RMF7N65 est assurée par sa capacité à absorber une énergie (EAS) de 245 mJ de manière non répétitive, offrant ainsi une tolérance importante face aux pics de surtension liés aux inductances de fuite dans les transformateurs ou les moteurs.
Dimensions du boîtier
Le transistor est encapsulé dans un boîtier standard TO-220F. Ce format est conçu pour un montage traversant et dispose d'une languette de fixation entièrement moulée et isolée, ce qui simplifie grandement l'intégration thermique sans nécessiter de pad isolant supplémentaire entre le composant et le dissipateur en aluminium (radiateur).
Notes techniques
- La dissipation de puissance maximale de 42 W est une limite théorique conditionnée par le maintien d'une température de jonction (TJ) stricte ne dépassant pas 150 °C.
- Les données de courant pulsé (IDM) sont validées sous des impulsions très courtes (largeur de l'impulsion ≤ 300 µs) avec un rapport cyclique inférieur ou égal à 2%.
- Dans les cas d'utilisation réels, le dimensionnement des courants nominaux (ID et IDM) doit impérativement être bridé par la capacité réelle de dissipation thermique du montage.
- Le paramètre d'énergie d'avalanche (EAS) représente une valeur maximale absolue. Ce test est normé sous les conditions : VDD = 50V, VGS = 10V, L = 10mH, Ias = 7A.
- La résistance thermique jonction-boîtier (RthJC) est évaluée à 2,98 °C/W. L'ajout d'un dissipateur thermique dimensionné en conséquence est obligatoire pour un fonctionnement au-delà de quelques watts de perte.
Où acheter le RMF7N65 ?
Pour vos besoins en prototypage ou en production de masse, vous pouvez vous procurer ce MOSFET via les canaux suivants :
- Pour le Maroc : Retrouvez ce composant, disponible en stock avec livraison locale, sur la boutique Abrid.ma.
- Pour l'international : Commandez vos composants en gros volumes chez le distributeur mondial Rimal Semiconductors.