Description générale
Le RMF9N50 de Rimal Semiconductors est un transistor de puissance MOSFET à canal N développé selon une nouvelle technologie propriétaire de structure planaire. Ce composant se distingue par une charge de grille optimisée permettant de réduire les pertes de commutation, ainsi que par l'intégration d'une diode de corps à recouvrement rapide. Conçu pour assurer une haute fiabilité, il est intégralement garanti contre les avalanches en impulsion unique (100% EAS) et se présente sous la forme d'un boîtier isolé TO-220F.
Principales caractéristiques techniques
Applications typiques
Ce MOSFET de puissance est particulièrement adapté pour la gestion d'énergie dans les dispositifs suivants :
- Les adaptateurs et chargeurs d'alimentation.
- Les alimentations à découpage de type SMPS.
- Les modules d'alimentation pour dalles et panneaux d'écrans LCD.
Brochage / Pinout
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| Fig.1 Configuration interne et assignation des broches pour le boîtier TO-220F (G: Gate, D: Drain, S: Source) |
| Broche | Symbole | Description |
|---|---|---|
| 1 | G | Grille (Gate) - Borne de commande de commutation |
| 2 | D | Drain - Terminal de connexion au canal principal |
| 3 | S | Source - Terminal de référence du courant |
Maximum Ratings (Valeurs maximales absolues)
Mesures établies à une température de boîtier Tc = 25 °C, à moins que d'autres limites soient spécifiées :
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| VDS | Tension Drain-Source | 500 | V |
| VGS | Tension Grille-Source | +30 | V |
| ID | Courant de Drain continu (VGS @ 10V, TC = 25 °C) | 9 | A |
| ID | Courant de Drain continu (VGS @ 10V, TC = 100 °C) | 5.7 | A |
| IDM | Courant de Drain pulsé (Largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale) | 36 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche en impulsion unique (VDD = 50V, VGS = 10V, L = 10mH, IAS = 11.2A) | 630 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche maximum | 11.2 | A |
| PD | Dissipation totale de puissance (TC = 25 °C) | 50 | W |
| PD | Dissipation totale de puissance (TC = 100 °C) | 20 | W |
| TJ, TSTG | Gamme de températures de fonctionnement de la jonction et de stockage | -55 à 150 | °C |
Electrical Characteristics (Caractéristiques électriques)
Valeurs relevées à une température ambiante Ta = 25 °C, sauf indication contraire :
États Statiques (On/Off)
| Symbole | Paramètre | Conditions de test | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVDSS | Tension de claquage Drain-Source | VGS = 0V, ID = 250 µA | 500 | - | - | V |
| RDS(ON) | Résistance statique Drain-Source à l'état passant | VGS = 10V, ID = 6A | - | 0.55 | 0.7 | Ω |
| VGS(th) | Tension de seuil de la grille | VGS = VDS, ID = 250 µA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| IDSS | Courant de fuite Drain-Source | VDS = 500V, VGS = 0V, TJ = 25 °C | - | - | 1 | µA |
| IDSS | Courant de fuite Drain-Source | VDS = 400V, VGS = 0V, TJ = 125 °C | - | - | 100 | µA |
| IGSS | Courant de fuite Grille-Source | VGS = ±30V, VDS = 0V | - | - | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS = 20V, ID = 9A | - | 11 | - | S |
Caractéristiques Dynamiques
| Symbole | Paramètre | Conditions de test | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz | - | 1253 | - | pF |
| Coss | Capacité de sortie | VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz | - | 130 | - | pF |
| Crss | Capacité de transfert inverse | VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz | - | 18 | - | pF |
Paramètres de Commutation
| Symbole | Paramètre | Conditions de test | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Qg | Charge totale de grille | VDS = 250V, VGS = 10V, ID = 9A | - | 28 | - | nC |
| Qgs | Charge Grille-Source | VDS = 250V, VGS = 10V, ID = 9A | - | 7 | - | nC |
| Qgd | Charge Grille-Drain | VDS = 250V, VGS = 10V, ID = 9A | - | 11 | - | nC |
| td(on) | Temps de retard à l'amorçage | VDD = 250V, VGS = 10V, RG = 25Ω, ID = 9A | - | 18 | - | ns |
| tr | Temps de montée | VDD = 250V, VGS = 10V, RG = 25Ω, ID = 9A | - | 32 | - | ns |
| td(off) | Temps de retard à l'extinction | VDD = 250V, VGS = 10V, RG = 25Ω, ID = 9A | - | 80 | - | ns |
| tf | Temps de descente | VDD = 250V, VGS = 10V, RG = 25Ω, ID = 9A | - | 38 | - | ns |
Caractéristiques de la Diode Source-Drain
| Symbole | Paramètre | Conditions de test | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS | Courant continu de la diode source | VG = VD = 0V, Courant forcé | - | - | 9 | A |
| ISM | Courant pulsé de la diode source | VG = VD = 0V, Courant forcé | - | - | 36 | A |
| VSD | Tension directe de la diode | IS = 9A, VGS = 0V, TJ = 25 °C | - | - | 1.5 | V |
| trr | Temps de recouvrement inverse | IF = 9A, dI/dt = 100A/µs, TJ = 25 °C | - | 330 | - | ns |
| Qrr | Charge de recouvrement inverse | IF = 9A, dI/dt = 100A/µs, TJ = 25 °C | - | 1.5 | - | µC |
Description fonctionnelle
Le RMF9N50 utilise une structure planaire développée pour offrir un comportement prévisible et robuste sous des contraintes de haute tension (500V). Grâce à une commande sous VGS = 10V, sa résistance interne à l'état passant s'établit à une valeur typique de 0.55 Ω et n'excède pas un maximum de 0.7 Ω. Sa diode de corps à recouvrement rapide est conçue pour dissiper promptement les charges accumulées (trr typique de 330 ns), ce qui s'avère critique pour éviter les courts-circuits impulsionnels ou les pertes par conduction inversée dans les topologies de ponts d'alimentation à découpage.
Dimensions du boîtier
Le composant adopte le standard de boîtier traversant TO-220F. Contrairement au boîtier TO-220 standard, le TO-220F comporte une capsule entièrement surmoulée en plastique isolé, ce qui élimine le besoin d'ajouter une feuille ou un canon d'isolation électrique lors de sa fixation mécanique sur un radiateur ou dissipateur thermique externe.
Notes techniques
- Les caractéristiques thermiques indiquent une résistance de jonction à l'ambiance RθJA maximale de 62 °C/W et une résistance jonction-boîtier RθJC maximale de 2.5 °C/W.
- La mesure en mode pulsé utilise des impulsions d'une largeur maximale ≤ 380 µs associées à un rapport cyclique (duty cycle) inférieur ou égal à 2%.
- Pour le fonctionnement de la diode de corps à température élevée (jusqu'à +150 °C), le profil est contraint par les conditions : ISD = 9A, dI/dt < 100 A/µs et VDD < BVDSS.
- La puissance dissipée globale dépend directement de la température de la structure de jonction et reste fixée par une limite physique absolue de 150 °C.
Où acheter le RMF9N50 ?
Pour l'approvisionnement de vos prototypes électroniques ou séries de production, vous pouvez consulter la disponibilité de ce composant ou de ses équivalents :
- Au Maroc (Fournisseur local et expédition de proximité) : abrid.ma
- À l'international (Réseau de distribution mondial) : Rimal Semicondictors
À partir d'une température de boîtier supérieure à 25 °C, le pic de courant admissible doit être déclassé selon la loi mathématique d'atténuation thermique thermique inscrite au graphique constructeur .
Le fabricant Rimal Semiconductors (RM) se réserve l'entière liberté de modifier à tout moment et sans notification préalable le contenu de ce document ainsi que les caractéristiques mécaniques et électriques des produits associés. L'utilisateur final se doit de collecter la documentation la plus récente avant de figer un plan d'intégration ou une commande. Les composants RM ne disposent d'aucune autorisation d'usage au sein d'équipements de survie ou de dispositifs de soutien médical sans l'expression d'un accord écrit d'autorisation de la part de la direction de RM. Pour accéder à la version électronique officielle d'origine, visitez la datasheet source de Rimal Semiconductors.